公开(公告)号：CN113745095A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111033900.2

申请日：2021-09-03

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 ,  湖北江城实验室

Inventor： 刘天建 ,  胡海威 ,  田应超 ,  曹瑞霞 ,  李琳瑜 ,  石林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  C23G5/00

Abstract: 本发明提供一种键合表面的金属氧化物的清洁方法，通过在等离子体活化腔室中执行活化工艺的同时还执行了还原工艺，没有增加额外的等离子体反应腔室及工艺步骤，从而没有增加工艺所需设备及成本；等离子体活化腔室中激发氢气和氮气的混合气体成为等离子体，通过等离子体轰击还原所述氧化铜薄层以将所述氧化铜还原为铜，使得键合铜垫表面上的氧化铜薄层得以还原为铜薄层，从而避免了氧化铜薄层对混合键合后的电性连接影响，提高了产品的良率；通过将已初步活化键合界面的晶圆从等离子体活化腔室中取出时与空气中的水结合即可以完成含硅氧绝缘层表面的活化，从而使得含硅氧绝缘层在混合键合时更容易键合，增加了含硅氧绝缘层的键合强度。