公开(公告)号：CN117116913A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311147308.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司

Inventor： 陈闰鹏 ,  程翠 ,  李琳瑜 ,  胡杏 ,  刘威

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/782

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体结构、芯片的形成方法，其中，半导体结构包括：晶圆；位于晶圆上的多个芯片组以及环绕芯片组的第一切割道；芯片组包括多个芯片以及位于相邻芯片之间的第二切割道；其中，第二切割道不设置功能结构，且第二切割道的宽度小于第一切割道的宽度。

公开(公告)号：CN116666382A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310928764.6

申请日：2023-07-26

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司

Inventor： 曹瑞霞 ,  胡杏 ,  李琳瑜 ,  程翠 ,  陈闰鹏

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8252

Abstract: 本申请涉及半导体集成电路领域，由于目前深沟槽电容器的电容密度无法有效提升，因此，本申请实施例提供了一种半导体结构及制备方法，该半导体结构包括：基底，基底包括沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面；第一电容结构，设置于第一表面且沿第一方向向基底内部延伸；第二电容结构，设置于第二表面且沿第一方向向基底内部延伸；其中，第一电容结构和第二电容结构对称设置；基底的厚度大于第一电容结构和第二电容结构在第一方向上的尺寸之和。这样，能够提高该半导体结构单位面积内的电容密度，从而使得该半导体结构可以应用于多种不同场景中。

公开(公告)号：CN117309821A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311183469.9

申请日：2023-09-13

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司

Inventor： 李秋智 ,  潘超 ,  程翠 ,  田应超 ,  陈闰鹏

IPC: G01N21/59 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请实施例提供一种晶圆传送盒内气体的检测装置及检测方法，其中，该检测装置包括：光线发射器，用于发射测试光线，测试光线用于照射晶圆传送盒中的空气；信号检测器，用于接收测试光线穿过晶圆传送盒中的空气所形成的待测光线，并确定待测光线的光强信号以及晶圆传送盒中的气体成份；控制器，与信号检测器连接，用于对光强信号进行处理，以确定气体成份中每一种气体的含量。通过本申请实施例提供的检测装置可以实现对晶圆传送盒内的环境进行侦测，从而可以及时判断出晶圆传送盒内部环境是否发生变化，并及时做出应对，减少块状缺陷的污染，提高晶圆的良率。

公开(公告)号：CN117650122A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311672599.9

申请日：2023-12-05

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司

Inventor： 程翠 ,  陈闰鹏 ,  胡杏 ,  李秋智 ,  曹瑞霞

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一芯片，第一芯片的上表面设置有多个第一接触垫；第二芯片，堆叠在第一芯片上，第二芯片邻近第一芯片的一侧设置有多个第二接触垫；导电层，位于第一芯片和第二芯片之间，第一芯片和第二芯片通过导电层键合连接；其中，导电层的材料包括一维导电材料，多个第一接触垫和多个第二接触垫通过导电层在垂直于第一芯片的方向一一对应电连接。