-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115939000A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310099215.2
申请日：2023-01-30
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供一种芯片承载装置及芯片与晶圆键合方法，芯片承载装置的第一表面上设置有多个凹槽，每一凹槽内均设置有固定组件；本申请通过提供一种芯片承载装置，当UV膜扩膜之后，已经贴在UV膜上的芯片无法再进行传送时，可以将芯片转移至芯片承载装置的凹槽中，可通过凹槽内的固定组件将转移至凹槽中的芯片固定，然后可以通过转移载有芯片的芯片承载装置去进行下一步的工艺，因此，解决了UV膜扩膜之后，已经贴在UV膜上的芯片无法再进行传送的技术问题。
-
公开(公告)号：CN117116913A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311147308.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/782
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体结构、芯片的形成方法，其中，半导体结构包括：晶圆；位于晶圆上的多个芯片组以及环绕芯片组的第一切割道；芯片组包括多个芯片以及位于相邻芯片之间的第二切割道；其中，第二切割道不设置功能结构，且第二切割道的宽度小于第一切割道的宽度。
-
公开(公告)号：CN117153839A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311099342.9
申请日：2023-08-28
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/46 , H01L23/48 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 公开了一种封装结构及其制造方法。封装结构包括：基板，基板上具有多个分立设置的半导体结构，半导体结构包括至少一个芯片；散热载片，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面上设置有多个分立的第一沟槽；其中，散热载片的第一表面与基板设置有半导体结构的一侧对应键合连接，多个第一沟槽一一对应容纳多个半导体结构。
-
公开(公告)号：CN117059551A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311079242.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供一种键合装置及键合方法，其中，键合装置包括：键合头；静电吸盘，设置于键合头上，用于吸附待键合的第一键合结构；静电吸盘与键合头之间形成一空腔；增压机构，与空腔连通，用于在键合之前对空腔加压，使得静电吸盘和第一键合结构的中间区域朝远离空腔的方向拱起；驱动机构，用于驱动键合头带动第一键合结构向待键合的第二键合结构移动，以使得第一键合结构拱起的中心点与第二键合结构接触，实现第一键合结构与第二键合结构之间的键合。
-
公开(公告)号：CN117059589A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311113636.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：第一基板，第一基板至少包括第一衬底、形成在第一衬底上的第一晶体管以及覆盖第一晶体管的第一介质层；第二基板，位于第一基板上，第二基板至少包括第二衬底、形成在第二衬底上的第二晶体管以及覆盖第二晶体管的第二介质层；第二基板与第一基板通过键合的方式连接；分立设置的第一接触插塞和第二接触插塞，第一接触插塞从第二介质层的上表面延伸至第一晶体管并与第一晶体管电连接，第二接触插塞从第二介质层的上表面延伸至第二晶体管并与第二晶体管电连接，第一接触插塞的高度大于第二接触插塞的高度。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.04 seconds)
