公开(公告)号：CN101908580A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010216949.7

申请日：2010-06-25

Applicant: 清华大学 ,  张家港保税区华冠光电技术有限公司

Inventor： 庄大明 ,  张弓 ,  李春雷 ,  刘江 ,  宋军 ,  赵运章 ,  匡周

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了属于光伏新能源材料技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜，再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜，实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备；采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜，避免使用剧毒硒源，提高了实验和生产的安全性；采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜，提高了吸收层的质量，制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜，形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层，提高了对太阳光谱中能量的吸收，显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101908580B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010216949.7

申请日：2010-06-25

Applicant: 清华大学 ,  张家港保税区华冠光电技术有限公司

Inventor： 庄大明 ,  张弓 ,  李春雷 ,  刘江 ,  宋军 ,  赵运章 ,  匡周

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了属于光伏新能源材料技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜，再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜，实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备；采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜，避免使用剧毒硒源，提高了实验和生产的安全性；采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜，提高了吸收层的质量，制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜，形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层，提高了对太阳光谱中能量的吸收，显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101916794A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010216946.3

申请日：2010-06-25

Applicant: 清华大学 ,  张家港保税区华冠光电技术有限公司

Inventor： 庄大明 ,  张弓 ,  李春雷 ,  刘江 ,  宋军 ,  赵运章 ,  匡周

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了属于制备光伏新能源材料所用设备技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的设备。该设备为连续式五室硒化硫化炉，预热室、硒化室、过渡室、硫化室和冷却室顺次相连，采用连续式五室硒化硫化炉可制备出具有S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合吸收层，使得该吸收层不仅在CISe基础上提高了带隙，而且使之沿吸收层厚度方向形成带隙梯度，增加对太阳光谱中光能的吸收，提高了CISe系太阳能电池的光电转换效率。本发明可以使得铜铟硒系薄膜太阳能电池的制造工艺简单，制造成本低，操作稳定性好，生产效率高，为制备高光电转换效率、大面积CISe系太阳能电池提供了便捷和设备保证。