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公开(公告)号：CN103399349A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310320137.0
申请日：2013-07-26
Applicant: 清华大学 , 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器，涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本发明包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极，聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表，其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管；碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接，并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面；所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接；太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明，当太赫兹波照射在该异质结上时，回路中即可产生显著的电流。本发明器件结构简单，制作方便，其响应时间为毫秒量级。
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公开(公告)号：CN119604049A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411790291.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: H10F39/12
Abstract: 本申请公开了一种上转换成像器件、上转换成像方法，属于半导体成像技术领域，该上转换成像器件包括：上转换器件和与上转换器件连接的成像器件；上转换器件靠近成像器件的一侧表面设置有微球结构；微球结构的表面作为发光面；上转换器件，用于将第一图像信号转换为第二图像信号，并且将第二图像信号从发光面发出；第一图像信号的波长大于第二图像信号的波长；成像器件，用于探测发光面发出的第二图像信号，并且根据第二图像信号进行图像复现。本申请能够同时提升上转换器件一端的探测效率以及另一端的发光效率，实现上转换器件整体上转换效率提升，从而可以缩短成像器件的积分时间，提升上转换成像速率，进而提升上转换成像性能。
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公开(公告)号：CN118969809A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411163824.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 北京应用物理与计算数学研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了一种上转换成像器件、上转换成像方法及制备方法，属于半导体成像技术领域，该上转换成像器件包括：上转换器件和与上转换器件连接的成像器件；上转换器件靠近成像器件的一侧表面设置有微球结构；微球结构的表面作为发光面；上转换器件，用于将第一图像信号转换为第二图像信号，并且将第二图像信号从发光面发出；第一图像信号的波长大于第二图像信号的波长；成像器件，用于探测发光面发出的第二图像信号，并且根据第二图像信号进行图像复现。本申请能够同时提升上转换器件一端的探测效率以及另一端的发光效率，实现上转换器件整体上转换效率提升，从而可以缩短成像器件的积分时间，提升上转换成像速率，进而提升上转换成像性能。
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公开(公告)号：CN203365697U
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201320452503.3
申请日：2013-07-26
Applicant: 清华大学 , 北京应用物理与计算数学研究所
Abstract: 一种基于“碳纳米管-镍”异质结的太赫兹电磁波探测器，涉及一种太赫兹波段的电子学器件。本实用新型包括一段宏观长的碳纳米管束丝、两根镍电极，聚焦透镜、密封罩以及精度为纳安级电流表，其中碳纳米管束丝也可采用碳纳米管；碳纳米管束丝的两端分别与两根镍电极相连接，并真空封装在密封罩内。聚焦透镜安装在密封罩的侧面；所述的纳安级电流表与镍电极露出密封罩外部的接线端连接；太赫兹电磁波穿过密封罩上的聚焦透镜后直接照射在“碳纳米管-镍”异质结上。实验表明，当太赫兹波照射在该异质结上时，回路中即可产生显著的电流。本实用新型器件结构简单，制作方便，其响应时间为毫秒量级。
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