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公开(公告)号：CN116555675A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310235506.X
申请日：2023-03-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀高磁性能因瓦合金及其制备方法。向Ni‑Fe因瓦母合金中加入一定量的Mn、Co、Cu中至少一种元素，按照Ni‑Fe因瓦合金制备工艺制备得到低热膨胀高磁性能因瓦合金。其中控制Mn的加入量为0.5～8％，或控制Co的加入量为0.5～8％，或控制Cu的加入量为0.5～8％。本发明通过元素掺杂改性手段，将Ni36因瓦合金热膨胀系数降低至1.2×10‑6/℃，优化了合金的热膨胀性能，同时降低了Ni36因瓦合金的矫顽力，改进了合金的磁学性能，从而拓宽了Ni36合金的应用范围。
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公开(公告)号：CN114226662B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111516736.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: B22D11/00 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C21D8/06 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/08 , G06F17/10 , B23P15/00
Abstract: 本发明涉及一种退火制备低热膨胀因瓦合金的方法。通过连铸工艺、切割工艺、初轧工艺、热轧工艺、退火工艺、酸洗及拉拔工艺制备低热膨胀因瓦合金拉拔丝；对所得拉拔丝进行退火操作，得到低热膨胀因瓦合金。本发明在降低热膨胀系数时具有低成本、无污染、尺寸均匀等优势，不需要向原有的合金中添加其他合金元素，且不引起任何化学试剂，不用考虑化学试剂的排放对环境造成的污染。本发明通过对成品试样进行退火处理，测试试样的微观结构(磁畴和金相)以及试样退火后的热膨胀系数，我们可以非常明显的得到在不同退火方式处理之后，低热膨胀与高热膨胀试样的磁畴和金相明显的差别。
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公开(公告)号：CN114226662A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111516736.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: B22D11/00 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C21D8/06 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/08 , G06F17/10 , B23P15/00
Abstract: 本发明涉及一种退火制备低热膨胀因瓦合金的方法。通过连铸工艺、切割工艺、初轧工艺、热轧工艺、退火工艺、酸洗及拉拔工艺制备低热膨胀因瓦合金拉拔丝；对所得拉拔丝进行退火操作，得到低热膨胀因瓦合金。本发明在降低热膨胀系数时具有低成本、无污染、尺寸均匀等优势，不需要向原有的合金中添加其他合金元素，且不引起任何化学试剂，不用考虑化学试剂的排放对环境造成的污染。本发明通过对成品试样进行退火处理，测试试样的微观结构(磁畴和金相)以及试样退火后的热膨胀系数，我们可以非常明显的得到在不同退火方式处理之后，低热膨胀与高热膨胀试样的磁畴和金相明显的差别。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115762956A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211390203.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs；所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。本发明太赫兹波发射器，利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下，其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化，该自旋流从铁磁层注入反铁磁层，通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转；由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺，该电荷流在两个相邻的亚晶格上正好可以叠加而实现太赫兹波信号的发射。
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公开(公告)号：CN119662979A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411701603.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 清华大学
IPC: C22B3/44 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , C23C8/10 , C23C14/04 , C23F1/36 , C22B7/00
Abstract: 本发明涉及金属制备技术领域。本发明提供了一种金属铜的制备方法，包括：S1、制备铜氧化物薄膜；S2、在所述铜氧化物薄膜的至少一侧的表面制备金属铝膜；S3、将含有所述铜氧化物薄膜和所述金属铝膜的薄膜置于碱溶液中浸泡，得到金属铜。本发明可以在室温下制备金属铜，简单便捷。
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公开(公告)号：CN119156118A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310709136.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹波探测器及探测方法。所述太赫兹波探测器包括衬底层和附着于衬底层上的反铁磁层，反铁磁层采用的材料为具有反演对称性破缺的反铁磁金属，反铁磁层采用的材料为锰金合金Mn2Au。采用本发明太赫兹波探测器探测太赫兹波时包括如下步骤：S1、将太赫兹波探测器的反铁磁层通过电极焊线连接电阻测试端；S2、将极化偏振的太赫兹波照射太赫兹波探测器的反铁磁，进而激发自旋轨道扭矩的注入，实现反铁磁中奈尔矢量的翻转，通过探测太赫兹波探测器的磁电阻的变化实现太赫兹的大小以及偏振方向的探测。本发明利用反铁磁奈尔矢量翻转变化来实现太赫兹波的探测，是基于自旋的太赫兹波发射器，具有易制备、响应快、可室温工作等特点。
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公开(公告)号：CN106268924B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610550701.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 华电煤业集团有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明属于化工领域，具体涉及一种合成气直接制备芳烃的催化剂及其制备和应用。该催化剂由第一金属组分、第二金属组分和分子筛组成。其制备方法为：首先将第一金属组分负载到分子筛上，制成改性分子筛，再将第二金属组分通过共沉淀的方法沉淀至改性分子筛上，得到芳构化催化剂。用H2将所得催化剂进行还原后，通入H2、CO摩尔比为(1‑8):1的混合气体，在0‑5MPa、250‑450℃、体积空速为500‑5000h‑1下可直接制备得到芳烃。本发明的催化剂可将合成气一步转化为高芳烃含量的烃类产物，并且制备工艺简单，金属在分子筛上分散均匀，能够提高芳烃选择性。
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公开(公告)号：CN106268924A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610550701.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 华电煤业集团有限公司 , 清华大学
CPC classification number: B01J29/46 , B01J29/48 , B01J2229/18 , C07C1/043 , C07C1/044 , C07C2529/46 , C07C2529/48 , C07C15/02
Abstract: 本发明属于化工领域，具体涉及一种合成气直接制备芳烃的催化剂及其制备和应用。该催化剂由第一金属组分、第二金属组分和分子筛组成。其制备方法为：首先将第一金属组分负载到分子筛上，制成改性分子筛，再将第二金属组分通过共沉淀的方法沉淀至改性分子筛上，得到芳构化催化剂。用H2将所得催化剂进行还原后，通入H2、CO摩尔比为(1-8):1的混合气体，在0-5MPa、250-450℃、体积空速为500-5000h-1下可直接制备得到芳烃。本发明的催化剂可将合成气一步转化为高芳烃含量的烃类产物，并且制备工艺简单，金属在分子筛上分散均匀，能够提高芳烃选择性。
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