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公开(公告)号：CN113683436B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110994524.7
申请日：2021-08-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本申请属于复合材料制备技术领域，具体而言，涉及一种进气组件、气相沉积装置及其复合材料制备方法。该申请利用插入多孔纤维预制体内部的若干小直径分支管对预制体各区域进行单独供气，同时以支撑平板封闭预制体底部出口，使得气体只能在分支管出口所在的水平层内横向流动，最后从预制体侧壁流出。当一层沉积完成后控制进气结构向上移动一段距离，继续沉积下一层。该工艺将预制体水平方向划分为若干六边形区域并对单个区域分别供气、堵住底面出口迫使气体横向渗透最后从预制体侧边流出、控制进气结构使插入预制体内部的出气口从下至上移动，这三个特点保证了多孔预制体能够分层沉积，且每一层能够充分均匀沉积。
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公开(公告)号：CN115094402A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210726752.0
申请日：2022-06-24
Applicant: 清华大学 , 锦州市三特真空冶金技术工业有限公司
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积领域，具体而言，涉及一种立式双温区‑双通道化学气相沉积设备，包括：沉积炉，沉积炉内包括介质容置区，介质容置区将沉积炉的内部腔室划分为上加热区和下加热区；介质容置区用于容置多孔介质，多孔介质用于沉积制备复合材料；第一加热体，用于对上加热区进行加热，以对多孔介质面向上加热区的一端进行加热；第二加热体，用于对下加热区进行加热，以对多孔介质面向下加热区的一端进行加热；其中，在沉积阶段时，第一加热体的功率不同于第二加热体的功率，以使多孔介质的上下两端的温度不同形成温差，从而本申请提供的化学气相沉积设备可以对多孔介质上下两端分别进行致密化，从而实现整个多孔介质的均匀致密。
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公开(公告)号：CN115094402B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210726752.0
申请日：2022-06-24
Applicant: 清华大学 , 锦州市三特真空冶金技术工业有限公司
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积领域，具体而言，涉及一种立式双温区‑双通道化学气相沉积设备，包括：沉积炉，沉积炉内包括介质容置区，介质容置区将沉积炉的内部腔室划分为上加热区和下加热区；介质容置区用于容置多孔介质，多孔介质用于沉积制备复合材料；第一加热体，用于对上加热区进行加热，以对多孔介质面向上加热区的一端进行加热；第二加热体，用于对下加热区进行加热，以对多孔介质面向下加热区的一端进行加热；其中，在沉积阶段时，第一加热体的功率不同于第二加热体的功率，以使多孔介质的上下两端的温度不同形成温差，从而本申请提供的化学气相沉积设备可以对多孔介质上下两端分别进行致密化，从而实现整个多孔介质的均匀致密。
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公开(公告)号：CN113683436A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110994524.7
申请日：2021-08-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本申请属于复合材料制备技术领域，具体而言，涉及一种进气组件、气相沉积装置及其复合材料制备方法。该申请利用插入多孔纤维预制体内部的若干小直径分支管对预制体各区域进行单独供气，同时以支撑平板封闭预制体底部出口，使得气体只能在分支管出口所在的水平层内横向流动，最后从预制体侧壁流出。当一层沉积完成后控制进气结构向上移动一段距离，继续沉积下一层。该工艺将预制体水平方向划分为若干六边形区域并对单个区域分别供气、堵住底面出口迫使气体横向渗透最后从预制体侧边流出、控制进气结构使插入预制体内部的出气口从下至上移动，这三个特点保证了多孔预制体能够分层沉积，且每一层能够充分均匀沉积。
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