公开(公告)号：CN114477984A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210096241.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卢雨田 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  马志宇

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，所述微波介质陶瓷材料包括如下质量百分含量的组分：33～38％CaO，12～14％MgO，2～3％ZnO，24～43％SiO2，以及3～28％GeO2。本申请提供的微波介质陶瓷材料用Zn2+部分取代了CaMgSi2O6中的Mg2+，形成CaMg1‑xZnxSi2O6固溶体，改善了陶瓷材料的微波介电性能；另外用Ge4+离子部分取代了CaMg1‑xZnxSi2O6中的Si4+，增加了陶瓷体系的总离子极化率，降低了陶瓷材料的本征损耗，使微波介质陶瓷的介电常数为7.8～8.2；Q×f值为137000～200000GHz；谐振频率温度系数为‑53～‑75ppm/℃。

公开(公告)号：CN114477961A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210111665.4

申请日：2022-01-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卢雨田 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  马志宇

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请提供了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料包括如下质量百分含量的原料组分：27％～30％Li2O，17％～44％SrO，7％～29％CaO，以及22％～25％SiO2。该低温共烧陶瓷材料由于生成了低熔点的Li4SrCaSi2O8结构的物相，所以无需额外添加玻璃相就有降低的烧结温度。另外，通过调控原料中氧化锶和氧化钙的含量，可使所述低温共烧陶瓷材料的介电常数为8.4～9.5；Q×f值为41300～64000GHz；谐振频率温度系数为‑140～‑60ppm/℃，有望作为低温共烧陶瓷基板、微波集成电路基片、谐振器与电子产品封装等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN113666737A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110836071.5

申请日：2021-07-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  马志宇 ,  郭蔚嘉 ,  骆宇 ,  陈雨谷

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01P1/20 ,  H01P7/10

Abstract: 本发明提出一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷，其介电常数为78～80，Q×f值为13900～15200GHz，谐振频率温度系数为‑5～+5ppm/℃。在维持较高介电常数和近零谐振频率温度系数的同时提高微波介质陶瓷的Q×f值，实现介电性能指标的协同改善。

公开(公告)号：CN113354413A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110759080.9

申请日：2021-07-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  郭蔚嘉 ,  马志宇 ,  骆宇 ,  陈雨谷

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B37/00

Abstract: 本发明公开了属于电子功能材料与器件技术领域的一种层状中高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷材料由A基片和B基片层状粘合而成，其中A基片由质量百分比为16％～17％的BaO、6.5％～45％的Sm2O3、8.5％～37％的Nd2O3、36％～40％的TiO2和0.0％～3.0％的Al2O3构成，B基片由质量百分比为21％～22％的CaO、29％～30％的Sm2O3、30％～50％的TiO2和0.0％～18％的Al2O3构成；这种微波介质陶瓷材料的介电常数为60～80，Q×f值为13000～22000GHz，谐振频率温度系数为‑5～+5ppm/℃。本发明制备的层状结构微波介质陶瓷材料的综合性能优于现有的中高介电常数微波介质陶瓷材料，制备方法避免了两种基片材料在高温下可能发生的化学反应，在介质谐振器、滤波器等微波器件制作领域有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN114477984B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210096241.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卢雨田 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  马志宇

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，所述微波介质陶瓷材料包括如下质量百分含量的组分：33～38％CaO，12～14％MgO，2～3％ZnO，24～43％SiO2，以及3～28％GeO2。本申请提供的微波介质陶瓷材料用Zn2+部分取代了CaMgSi2O6中的Mg2+，形成CaMg1‑xZnxSi2O6固溶体，改善了陶瓷材料的微波介电性能；另外用Ge4+离子部分取代了CaMg1‑xZnxSi2O6中的Si4+，增加了陶瓷体系的总离子极化率，降低了陶瓷材料的本征损耗，使微波介质陶瓷的介电常数为7.8～8.2；Q×f值为137000～200000GHz；谐振频率温度系数为‑53～‑75ppm/℃。