公开(公告)号：CN114477984A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210096241.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卢雨田 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  马志宇

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，所述微波介质陶瓷材料包括如下质量百分含量的组分：33～38％CaO，12～14％MgO，2～3％ZnO，24～43％SiO2，以及3～28％GeO2。本申请提供的微波介质陶瓷材料用Zn2+部分取代了CaMgSi2O6中的Mg2+，形成CaMg1‑xZnxSi2O6固溶体，改善了陶瓷材料的微波介电性能；另外用Ge4+离子部分取代了CaMg1‑xZnxSi2O6中的Si4+，增加了陶瓷体系的总离子极化率，降低了陶瓷材料的本征损耗，使微波介质陶瓷的介电常数为7.8～8.2；Q×f值为137000～200000GHz；谐振频率温度系数为‑53～‑75ppm/℃。

公开(公告)号：CN114477961A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210111665.4

申请日：2022-01-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卢雨田 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  马志宇

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请提供了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料包括如下质量百分含量的原料组分：27％～30％Li2O，17％～44％SrO，7％～29％CaO，以及22％～25％SiO2。该低温共烧陶瓷材料由于生成了低熔点的Li4SrCaSi2O8结构的物相，所以无需额外添加玻璃相就有降低的烧结温度。另外，通过调控原料中氧化锶和氧化钙的含量，可使所述低温共烧陶瓷材料的介电常数为8.4～9.5；Q×f值为41300～64000GHz；谐振频率温度系数为‑140～‑60ppm/℃，有望作为低温共烧陶瓷基板、微波集成电路基片、谐振器与电子产品封装等微波器件的制造。

公开(公告)号：CN114477984B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210096241.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卢雨田 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  马志宇

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/622

Abstract: 本申请提供了一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，所述微波介质陶瓷材料包括如下质量百分含量的组分：33～38％CaO，12～14％MgO，2～3％ZnO，24～43％SiO2，以及3～28％GeO2。本申请提供的微波介质陶瓷材料用Zn2+部分取代了CaMgSi2O6中的Mg2+，形成CaMg1‑xZnxSi2O6固溶体，改善了陶瓷材料的微波介电性能；另外用Ge4+离子部分取代了CaMg1‑xZnxSi2O6中的Si4+，增加了陶瓷体系的总离子极化率，降低了陶瓷材料的本征损耗，使微波介质陶瓷的介电常数为7.8～8.2；Q×f值为137000～200000GHz；谐振频率温度系数为‑53～‑75ppm/℃。