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公开(公告)号：CN113192835B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110480133.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了单层氟化石墨烯的肖特基二极管及其制备方法和应用。该方法采用复合刻蚀工艺，在硅衬底上形成深沟槽，使整个单层石墨烯二极管器件悬浮在该沟槽之上，同时在其上制备金属电极；并且，通过二氟化氙(XeF2)气体将石墨烯氟化并打开电子能带带隙，在悬空部分形成稳定的氟碳原子共价键，并在金属电极和氟化石墨烯界面形成肖特基势垒，引发二极管效应。采用该方法既能避免半导体衬底对肖特基二极管器件厚度的影响以及因半导体衬底的掺杂/杂质或缺陷对肖特基二极管器件性能产生的负面影响，又能使肖特基二极管具有响应频率高、电子迁移速率高等优点，对微纳尺度下集成电路的发展有重要意义。
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公开(公告)号：CN114715840A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210372933.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00 , C12Q1/6869 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了差分式悬架单层石墨烯纳米孔传感器及其制备方法和用途。该制备方法包括：在硅基底层上形成SiO2层，对硅基底层远离SiO2层的一侧进行刻蚀形成沟槽，位于沟槽区域的SiO2层悬空；在SiO2层上形成石墨烯条带单元，该单元包括两条间隔分布且同时横跨沟槽的单层石墨烯条带；沉积金属电极层，在沟槽一侧形成的电极层同时覆盖两条单层石墨烯条带，在沟槽另一侧形成的电极层包括间隔分布且各覆盖一条单层石墨烯条带的两部分；利用HF溶液刻蚀掉沟槽区域裸露出的二氧化硅层使单层石墨烯条带悬空；利用离子束在悬空的两条单层石墨烯条带中的一条上打出纳米孔。该方法可获得极高的空间分辨率，提高信号强度和信噪比，提高数据的稳定性和可重复性。
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公开(公告)号：CN112985636A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110419289.0
申请日：2021-04-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了单细胞温度分布的激光拉曼测量方法及其用途。该方法包括：制备用于加热细胞的微米电极阵列芯片和温度传感器；获得二维材料导热层拉曼光谱特征峰对应的波数与温度的线性关系；使细胞直接生成在绝缘导热层上；使二维材料导热层与细胞接触，通过微米电极阵列对细胞进行加热，并逐点测量目标细胞上方二维材料导热层的拉曼光谱信号，获得全场的拉曼光谱分布图；基于二维材料拉曼光谱特征峰对应的波数与温度的线性关系和二维材料导热层中每一点的拉曼光谱特征峰的波数偏移量，获得目标细胞全场的温度分布。该方法能解决测量活体细胞全场温度分布的难题，加深对细胞生理行为的了解，促进疾病病理研究、药物研发等相关领域的进一步发展。
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公开(公告)号：CN114715840B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210372933.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00 , C12Q1/6869 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了差分式悬架单层石墨烯纳米孔传感器及其制备方法和用途。该制备方法包括：在硅基底层上形成SiO2层，对硅基底层远离SiO2层的一侧进行刻蚀形成沟槽，位于沟槽区域的SiO2层悬空；在SiO2层上形成石墨烯条带单元，该单元包括两条间隔分布且同时横跨沟槽的单层石墨烯条带；沉积金属电极层，在沟槽一侧形成的电极层同时覆盖两条单层石墨烯条带，在沟槽另一侧形成的电极层包括间隔分布且各覆盖一条单层石墨烯条带的两部分；利用HF溶液刻蚀掉沟槽区域裸露出的二氧化硅层使单层石墨烯条带悬空；利用离子束在悬空的两条单层石墨烯条带中的一条上打出纳米孔。该方法可获得极高的空间分辨率，提高信号强度和信噪比，提高数据的稳定性和可重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115235729A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210842746.1
申请日：2022-07-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了测量面向以及法向热流的温度测量系统以及测量热流的方法。该系统包括：测温单元、数据采集单元以及高温火焰实验台，其中，所述高温火焰实验台包括乙炔高温火焰发生器以及定位组件，所述定位组件靠近所述乙炔高温火焰发生器设置，所述定位组件上固定有所述测温单元，所述测温单元包括基板以及至少一组测温元件，所述测温元件具有金属薄膜电极，所述数据采集系统和所述测温单元电连接。该系统可以较好地模拟高超声速飞行器表面的气动热特性，测温单元具有好的面向以及法向热流跟随性以及敏感性，且空间、时间分辨率均较高。
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公开(公告)号：CN113060700A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110301444.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯各向异性刻蚀原理的纳米通道高精度加工方法及其用途。该方法包括：(1)在硅衬底上逐层形成SiO2层、单层石墨烯层和带状光刻胶层，其中，基于预期要获得的纳米通道的形状和尺寸控制：SiO2层的厚度；单层石墨烯层的形状和尺寸；带状光刻胶层的形状和尺寸；单层石墨烯层和带状光刻胶层重叠区域的位置、形状和尺寸；(2)采用氢氟酸溶液湿法刻蚀去除硅衬底上未经带状光刻胶层覆盖的SiO2层和重叠区域的SiO2层，以便在重叠区域形成纳米通道。该方法不仅操作简便，加工精度高，且制得的纳米通道三维尺寸可控，可具有较好的均一性，能够一体成型，无需键合工艺，密封性较好，当流体介质沿该纳米通道运动时不易漏液。
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公开(公告)号：CN112985636B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110419289.0
申请日：2021-04-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了单细胞温度分布的激光拉曼测量方法及其用途。该方法包括：制备用于加热细胞的微米电极阵列芯片和温度传感器；获得二维材料导热层拉曼光谱特征峰对应的波数与温度的线性关系；使细胞直接生成在绝缘导热层上；使二维材料导热层与细胞接触，通过微米电极阵列对细胞进行加热，并逐点测量目标细胞上方二维材料导热层的拉曼光谱信号，获得全场的拉曼光谱分布图；基于二维材料拉曼光谱特征峰对应的波数与温度的线性关系和二维材料导热层中每一点的拉曼光谱特征峰的波数偏移量，获得目标细胞全场的温度分布。该方法能解决测量活体细胞全场温度分布的难题，加深对细胞生理行为的了解，促进疾病病理研究、药物研发等相关领域的进一步发展。
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公开(公告)号：CN113192835A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110480133.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了单层氟化石墨烯的肖特基二极管及其制备方法和应用。该方法采用复合刻蚀工艺，在硅衬底上形成深沟槽，使整个单层石墨烯二极管器件悬浮在该沟槽之上，同时在其上制备金属电极；并且，通过二氟化氙(XeF2)气体将石墨烯氟化并打开电子能带带隙，在悬空部分形成稳定的氟碳原子共价键，并在金属电极和氟化石墨烯界面形成肖特基势垒，引发二极管效应。采用该方法既能避免半导体衬底对肖特基二极管器件厚度的影响以及因半导体衬底的掺杂/杂质或缺陷对肖特基二极管器件性能产生的负面影响，又能使肖特基二极管具有响应频率高、电子迁移速率高等优点，对微纳尺度下集成电路的发展有重要意义。
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公开(公告)号：CN111721802B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010495862.1
申请日：2020-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: G01N25/20 , G01N25/18 , G01N27/04 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种二维材料的热、电物理性能综合测量装置及方法，属于纳米材料热电性能测试技术领域。本发明装置使一个矩形二维材料两端搭接于两根金属线A、B上，使中间部位悬空，形成H形结构，利用该H形结构，测量二维材料的电导率、热导率和塞贝克系数。利用本发明装置，不需要已知二维材料的激光吸收率，可以通过光、电综合测量方法同时获得，且测量的二维材料电导率、热导率和塞贝克系数的准确性好、灵敏度高。本方法对二维材料的厚度宽度等没有任何要求，适用于任何类型的二维材料，适用范围广。本方法可以实现对二维材料的热电性能表征，对开发新型热电材料提供可靠的物性数据支持。
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