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公开(公告)号：CN1594661A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410030785.3
申请日：2004-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种高温炉体铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖，属于耐火材料制备技术领域。其特征在于：所述在Si3N4结合SiC砖体的一个面积较大的非工作面上开设一个或几个凹槽，带凹槽型Si3N4结合SiC砖在用于铝电解槽的侧墙时，其凹槽部分可与一个或几个相对应形状的碳质耐火砖通过耐火胶泥来粘结，构成紧密的结合，形成一个Si3N4结合SiC砖与碳质耐火砖复合一起且外形尺寸相吻合的复合砖整体。本发明的复合结构耐火砖，既利用了Si3N4结合SiC砖有效防止被高温融体渗透和侵蚀的优点，又利用了碳质耐火砖高导热较低成本的特点。使用这种复合砖体，可保证耐火砖使用寿命，同时可降低耐火砖的成本和铝电解的生产成本。
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公开(公告)号：CN85100177B
公开(公告)日：1987-05-13
申请号：CN85100177
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/58
Abstract: 一种改进的以碳化钛为耐磨分散相，氧化钇、氧化铝或其它氧化物为致密化助剂的高耐磨性高韧性氮化硅基复合陶瓷材料。这种陶瓷材料中加入了氧化铝，同时在烧结后经过退火处理，具有优良的高温性能（强度、红硬性、耐磨性等）和化学稳定性。用这种陶瓷制作的刀具在加工淬硬钢（ＣｒＷＭｎ，ＨＲＣ５８～６２）和冷硬铸铁（ＨＳ７１－７３）工件时，其刀具寿命是以往的复合氮化硅陶瓷刀具的２．１倍，Ａｌ2Ｏ3－ＴｉＣ复合刀具的６～７倍，硬质合金刀具的７０～１１０倍。这种陶瓷材料还可制作多种精密机械零件（量块、导轨、轴承等），也可制作拔丝模等工具。
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公开(公告)号：CN1298891C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410030783.4
申请日：2004-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种高温炉体铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖耐火砖，属于耐火材料制备技术领域。其特征在于：所述在铝电解槽侧墙用Si3N4结合SiC砖体的一个面积较大的非工作面上开设一个直角梯形凸起，所述直角梯形凸起与砖体高度方向的一个端面平齐，宽度与Si3N4结合SiC砖的宽度一致，构成一个整体带直角梯形凸起的Si3N4结合SiC砖。由于本发明提供的Si3N4结合SiC砖体的顶部直角梯形凸起部分可以将碳质耐火砖顶部与高温空气隔绝，可避免碳质耐火砖的氧化损毁，延长复合砖体的寿命。Si3N4结合SiC砖体是电绝缘体，可以防止碳质耐火砖侧墙的漏电，节约电能。这种复合结构，既利用了Si3N4结合SiC砖有效防止被高温融体渗透和侵蚀的优点，又利用了碳质耐火砖高导热较低成本的特点。
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公开(公告)号：CN1279215C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200410030785.3
申请日：2004-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种高温炉体铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖，属于耐火材料制备技术领域。其特征在于：所述在Si3N4结合SiC砖体的一个面积较大的非工作面上开设一个或几个凹槽，带凹槽型Si3N4结合SiC砖在用于铝电解槽的侧墙时，其凹槽部分可与一个或几个相对应形状的碳质耐火砖通过耐火胶泥来粘结，构成紧密的结合，形成一个Si3N4结合SiC砖与碳质耐火砖复合一起且外形尺寸相吻合的复合砖整体。本发明的复合结构耐火砖，既利用了Si3N4结合SiC砖有效防止被高温融体渗透和侵蚀的优点，又利用了碳质耐火砖高导热较低成本的特点。使用这种复合砖体，可保证耐火砖使用寿命，同时可降低耐火砖的成本和铝电解的生产成本。
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公开(公告)号：CN1724466A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510012187.8
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/58 , C04B35/626 , B82B3/00
Abstract: 一种合成Si基一维纳米材料的方法，属于材料制备技术领域。本发明的方法制备步骤为：(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮莞，250－280℃保护气氛中交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni中的任何一种，所述催化剂的用量为1－5wt％；(3)高温热解：取少量高能球磨后的混合物装入氧化铝陶瓷坩锅中进行高温热解，在保护气氛中1250～1700℃热解温度下保温1～4小时，即可得到不同形貌和化学成分的低维纳米材料。合成工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1590589A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410030783.4
申请日：2004-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种高温炉体铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖耐火砖，属于耐火材料制备技术领域。其特征在于：所述在铝电解槽侧墙用Si3N4结合SiC砖体的一个面积较大的非工作面上开设一个直角梯形凸起，所述直角梯形凸起与砖体高度方向的一个端面平齐，宽度与Si3N4结合SiC砖的宽度一致，构成一个整体带直角梯形凸起的Si3N4结合SiC砖。由于本发明提供的Si3N4结合SiC砖体的顶部直角梯形凸起部分可以将碳质耐火砖顶部与高温空气隔绝，可避免碳质耐火砖的氧化损毁，延长复合砖体的寿命。Si3N4结合SiC砖体是电绝缘体，可以防止碳质耐火砖侧墙的漏电，节约电能。这种复合结构，既利用了Si3N4结合SiC砖有效防止被高温融体渗透和侵蚀的优点，又利用了碳质耐火砖高导热较低成本的特点。
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公开(公告)号：CN1102555C
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN00107762.7
申请日：2000-05-26
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于材料科学技术领域，涉及高耐磨性复合金属陶瓷刀具材料，它是采用碳氮化钛Ti(CN)作为主相，采用Si3N4-Al2O3作为复合耐磨相，以金属粘结相及氧化物和碳化物作为添加剂，经过混合成型烧结而达到完全致密化。本发明的复合金属陶瓷刀具与传统的金属陶瓷刀具相比，具有更好的耐磨性、耐热性和优良的切削性能。适合于淬硬钢、合金耐磨铸铁、高强度钢等一系列超硬难加工材料的加工，也可以用来制作模具，喷咀等耐磨、耐腐蚀机械零部件。
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公开(公告)号：CN1327046C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510012188.2
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 单晶Si3N4纳米带和微米带的制备方法，属材料制备技术领域。本发明采用有机前驱体热解合成单晶Si3N4纳米带和微米带，含有步骤(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮烷，在氮气或氨气中240-290℃保温交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体在高能球磨机中球磨，同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni、Fe中的任何一种，所述催化剂用量为1-5wt%；(3)高温热解：将高能球磨后的混合物进行高温热解，在1250～1550℃热解温度下保温。本方法工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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公开(公告)号：CN1312028C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510012187.8
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: C01B21/068 , C01B31/36 , B82B3/00
Abstract: 一种合成Si基一维纳米材料的方法，属于材料制备技术领域。本发明的方法制备步骤为：(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮烷，250-280℃保护气氛中交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni中的任何一种，所述催化剂的用量为1-5wt%；(3)高温热解：取少量高能球磨后的混合物装入氧化铝陶瓷坩锅中进行高温热解，在保护气氛中1250～1700℃热解温度下保温1～4小时，即可得到不同形貌和化学成分的低维纳米材料。合成工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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公开(公告)号：CN1769547A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510012188.2
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 单晶Si3N4纳米带和微米带的制备方法，属材料制备技术领域。本发明采用有机前驱体热解合成单晶Si3N4纳米带和微米带，含有步骤(1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮莞，在氮气或氨气中240－290℃保温交联固化，得到半透明的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体在高能球磨机中球磨，同时引入催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni、Fe中的任何一种，所述催化剂用量为1－5wt％；(3)高温热解：将高能球磨后的混合物进行高温热解，在1250～1550℃热解温度下保温。本方法工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。
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