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公开(公告)号：CN110601673B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910739639.4
申请日：2019-08-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件，声表面波器件包括在衬底上集成的谐振/滤波组件和传感组件中的任意一种或两种，各组件均分别包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层；薄膜体声波器件包括在衬底上集成的谐振/滤波组件、传感组件中的任意一种或两种，各组件均分别包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层；两类声波器件中的各压电层均分别是通过掺杂有锆、铝或硅的铪系铁电薄膜，使用原子层沉积工艺制得。本发明能够在铪系铁电薄膜上制备出两类声波器件和存储器件，可以将环境感知、信号处理与存储进行集成，有利于提高电子设备的集成度和工作速度。
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公开(公告)号：CN113405685A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110535196.4
申请日：2021-05-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于温度测量领域，特别地涉及一种基于PEDOT‑ZnO纳米异质结的温度传感器。本发明所述温度传感器以PEDOT的纳米材料和ZnO的纳米材料形成的纳米异质结作为温度敏感元件。本发明所述的温度传感器与现有的PN结温度传感器相比，测温范围宽，可实现‑60～+90℃范围的测温，具有较高的灵敏度和准确度，而且本发明的温度传感器与其他传感器具有更低的能耗更高的稳定性。
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公开(公告)号：CN113405685B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110535196.4
申请日：2021-05-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于温度测量领域，特别地涉及一种基于PEDOT‑ZnO纳米异质结的温度传感器。本发明所述温度传感器以PEDOT的纳米材料和ZnO的纳米材料形成的纳米异质结作为温度敏感元件。本发明所述的温度传感器与现有的PN结温度传感器相比，测温范围宽，可实现‑60～+90℃范围的测温，具有较高的灵敏度和准确度，而且本发明的温度传感器与其他传感器具有更低的能耗更高的稳定性。
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公开(公告)号：CN110601673A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910739639.4
申请日：2019-08-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件，声表面波器件包括在衬底上集成的谐振/滤波组件和传感组件中的任意一种或两种，各组件均分别包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层；薄膜体声波器件包括在衬底上集成的谐振/滤波组件、传感组件中的任意一种或两种，各组件均分别包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层；两类声波器件中的各压电层均分别是通过掺杂有锆、铝或硅的铪系铁电薄膜，使用原子层沉积工艺制得。本发明能够在铪系铁电薄膜上制备出两类声波器件和存储器件，可以将环境感知、信号处理与存储进行集成，有利于提高电子设备的集成度和工作速度。
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