公开(公告)号：CN108808442A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810714759.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 王健 ,  王雅琼 ,  孙长征 ,  熊兵 ,  罗毅 ,  郝智彪 ,  韩彦军 ,  汪莱 ,  李洪涛

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/1237 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。

公开(公告)号：CN108808442B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201810714759.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 王健 ,  王雅琼 ,  孙长征 ,  熊兵 ,  罗毅 ,  郝智彪 ,  韩彦军 ,  汪莱 ,  李洪涛

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。

公开(公告)号：CN209675673U

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201821038612.X

申请日：2018-06-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 王健 ,  王雅琼 ,  孙长征 ,  熊兵 ,  罗毅 ,  郝智彪 ,  韩彦军 ,  汪莱 ,  李洪涛

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

Abstract: 本实用新型提出了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列，包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利