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公开(公告)号：CN105798466B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410831981.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B28D1/24
CPC classification number: G01T1/2018
Abstract: 本发明的陶瓷闪烁体阵列的加工方法具备如下步骤：（a）利用激光在闪烁体基片上在第一方向形成彼此平行并且间隔预定距离的预定数量的平直的第一方向通透切缝；（b）使用粘合剂充分填充所述第一方向通透切缝并使所述粘合剂固化；（c）利用激光在所述闪烁体基片上在与第一方向垂直的第二方向上以预定间隔形成预定数目的彼此平行的第二方向通透切缝；以及（d）使用粘合剂充分填充所述第二方向通透切缝并使所述粘合剂固化。
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公开(公告)号：CN104345334B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310341234.8
申请日：2013-08-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及阳极丝对中性能改善的中子探测管和中子探测设备。具体地，提供了一种中子探测管，其包括：阴极管，所述阴极管内限定有轴向延伸的管腔，且管腔内壁具有中子敏感材料；阳极丝，所述阳极丝在所述阴极管的管腔中轴向延伸；绝缘套，所述绝缘套的一部分气密密封地沿轴向插入所述阴极管中的一端，而且所述绝缘套内限定有通向所述阴极管的管腔的第一中央内孔；以及同心装置，其被置于所述绝缘套的第一中央内孔中，且被配置成使得所述阳极丝至少在轴向向内穿过所述同心装置后被居中于所述阴极管的中心轴线。本发明还提供了一种中子探测设备，其包括至少一只所述中子探测管；以及用于组合所述中子探测管的阵列组合装置。
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公开(公告)号：CN105330289A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410398953.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , G01T1/20
CPC classification number: C09K11/7772 , C04B35/5156 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B40/0007 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3287 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明涉及一种采用单轴加压放电等离子体烧结（SPS），任选地结合热等静压二次烧结技术，快速制备具有Pr,Ce,Tb,Eu中的至少一种元素掺杂的硫氧化钆（具有化学通式Gd2O2S，简称GOS）多晶闪烁陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN105093255B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510568491.4
申请日：2015-09-09
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明提出一种射线探测方法、装置、探测器组件和射线探测器，涉及辐射成像领域。其中，本发明的射线探测方法包括：获取探测器组件中各个转换层的基本探测数据，其中，探测器组件包括多个层叠排列的转换层，每个转换层用于探测预定探测范围的能量；基于多个转换层的基本探测数据的组合获取预定探测等级的射线探测数据。通过这样的方法，能够根据探测等级的需要，基于多个转换层的基本探测数据，根据符合预定探测等级的转换层的基本探测数据获取预定探测等级的射线探测数据，从而实现了根据探测的需要灵活探测不同能量等级的能量。
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公开(公告)号：CN105798466A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410831981.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B28D1/24
CPC classification number: G01T1/2018
Abstract: 本发明的陶瓷闪烁体阵列的加工方法具备如下步骤：（a）利用激光在闪烁体基片上在第一方向形成彼此平行并且间隔预定距离的预定数量的平直的第一方向通透切缝；（b）使用粘合剂充分填充所述第一方向通透切缝并使所述粘合剂固化；（c）利用激光在所述闪烁体基片上在与第一方向垂直的第二方向上以预定间隔形成预定数目的彼此平行的第二方向通透切缝；以及（d）使用粘合剂充分填充所述第二方向通透切缝并使所述粘合剂固化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104345334A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310341234.8
申请日：2013-08-07
Applicant: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及阳极丝对中性能改善的中子探测管和中子探测设备。具体地，提供了一种中子探测管，其包括：阴极管，所述阴极管内限定有轴向延伸的管腔，且管腔内壁具有中子敏感材料；阳极丝，所述阳极丝在所述阴极管的管腔中轴向延伸；绝缘套，所述绝缘套的一部分气密密封地沿轴向插入所述阴极管中的一端，而且所述绝缘套内限定有通向所述阴极管的管腔的第一中央内孔；以及同心装置，其被置于所述绝缘套的第一中央内孔中，且被配置成使得所述阳极丝至少在轴向向内穿过所述同心装置后被居中于所述阴极管的中心轴线。本发明还提供了一种中子探测设备，其包括至少一只所述中子探测管；以及用于组合所述中子探测管的阵列组合装置。
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公开(公告)号：CN103526161A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310453456.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种真空镀膜方法，包括以下步骤：提供一带状基材，该带状基材经过螺旋盘绕之后围成一圆筒状结构，该待镀膜表面即为该圆筒状结构的外表面；将所述圆筒状结构置于真空镀膜机中，该真空镀膜机内设置有待镀膜材料，使用该待镀膜材料对所述待镀膜表面进行第一次镀膜，形成一第一薄膜层；以及；将所述圆筒状结构倒置，对所述待镀膜表面进行第二次镀膜，从而在第一薄膜层的表面形成一第二薄膜层，两次镀膜后形成的镀膜材料层整体厚度均匀。
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公开(公告)号：CN112358296A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011347167.7
申请日：2014-08-14
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/645 , G01T1/202
Abstract: 本发明涉及种硫氧化钆闪烁陶瓷制备方法，特别地是具有Pr,Ce,Tb,Eu中的至少一种元素掺杂的GOS（具有化学通式Gd2O2S）的闪烁陶瓷的低成本两步烧结制备方法，包括单轴热压一次烧结和热等静压二次烧结。
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公开(公告)号：CN105330289B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410398953.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC: G01T1/20 , C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C09K11/7772 , C04B35/5156 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B40/0007 , C04B2235/3203 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3287 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明涉及一种采用单轴加压放电等离子体烧结（SPS），任选地结合热等静压二次烧结技术，快速制备具有Pr,Ce,Tb,Eu中的至少一种元素掺杂的硫氧化钆（具有化学通式Gd2O2S，简称GOS）多晶闪烁陶瓷的方法。
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