公开(公告)号：CN115953363A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211597520.6

申请日：2022-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐建石 ,  赵涵 ,  樊易嘉 ,  刘正午 ,  高滨 ,  吴华强 ,  钱鹤

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/11 ,  G06T7/136 ,  G06T7/187 ,  G06V10/26 ,  G06V10/764 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 一种图像处理方法以及图像处理装置、存储介质。该图像处理方法包括：获取基于重建处理算法获得的包括目标对象的初始成像图像；获取伸缩参数的第一计算值和平移参数的第二计算值；使用第一计算值和第二计算值对初始成像图像进行预处理以得到处理后图像；将处理后图像用于基于图像分割算法的图像分割处理，以得到对于目标对象的分割图像，其中，第一计算值和第二计算值对应于重建处理算法和图像分割算法，且预处理中，处理后图像的像素＝初始成像图像的像素*第一计算值+第二计算值。该图像处理方法能解决单一图像分割算法的应用局限，提升图像分割算法的复用性。

公开(公告)号：CN119866060A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411913075.9

申请日：2024-12-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐建石 ,  樊易嘉 ,  高滨 ,  钱鹤 ,  吴华强

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明提供了垂直堆叠互补场效应晶体管及其制作方法和应用。根据本发明的实施例，该垂直堆叠互补场效应晶体管包括：衬底；N型晶体管设置在衬底的一侧，且为顶栅结构，N型晶体管包括第一沟道层、钝化保护层和第一栅氧化层，第一沟道层为IGZO沟道，钝化保护层位于第一沟道层和第一栅氧化层之间；P型晶体管设置在N型晶体管远离衬底的一侧，为背栅结构，且与N型晶体管共用栅极。通过形成钝化保护层来保护IGZO沟道，在制作第一栅氧化层以及后续制作P型晶体管时，可以有效阻隔氢的扩散，提高N型晶体管的抗氢性，从而提高N型晶体管的电学性能；且有利于实现N型晶体管在下的后道工艺兼容且高性能的垂直堆叠互补场效应晶体管。

公开(公告)号：CN118210474A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311871565.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐建石 ,  樊易嘉 ,  李怡均 ,  高滨 ,  吴华强 ,  钱鹤

IPC: G06F7/50 ,  G06F7/523 ,  G06F17/16 ,  G11C13/00 ,  G06N3/0464

Abstract: 本公开实施例提供了一种单片三维集成微处理器及其操作方法和制备方法，该单片三维集成微处理器包括：逻辑/存内计算层、动态随机存储器层和互补场效应晶体管层，其中，逻辑/存内计算层包括逻辑电路和配置为执行矩阵乘法运算的存内计算电路；动态随机存储器层包括动态随机存储器件以作为该单片三维集成微处理器的内存；互补场效应晶体管层被配置为执行逻辑控制、计算和缓存，其中，逻辑/存内计算层、动态随机存储器层以及互补场效应晶体管层之间彼此层叠，并且通过层间通孔相互通信连接。