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公开(公告)号：CN116343866A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211728423.6
申请日：2022-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种内容可寻址存储装置、存储器及电子设备，所述装置包括：多个存储单元，每个存储单元包括只读存储器件、电容，只读存储器件包括第一输入端、第二输入端和输出端，只读存储器件的输出端和所述电容的第一端相连，所述只读存储器件通过第一输入端、第二输入端与输出端的连接关系存储数据；控制模块，连接于各个存储单元，用于：对各个存储单元的只读存储器件的第一输入端、第二输入端进行电压控制，以执行目标操作；根据所述电容的第二端的电压确定所述目标操作的操作结果。本公开实施例基于只读存储器件实现内容可寻址存储装置，可以提高内容可寻址存储装置的面积效率，减少乃至消除因内存访问而导致的不必要能量开销、降低能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116504291A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210769401.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/418 , G11C11/419 , G06N3/063 , G06N3/084
Abstract: 本公开涉及一种存内计算装置、神经网络加速器和电子设备，所述装置包括：计算阵列，包括多个计算模块，计算模块包括至少一个存储单元、复位开关、电容，存储单元包括至少一个存储开关，存储开关包括存储控制端、存储检测端和存储端，存储端用于接收存储状态电平以存储与该存储状态电平对应的信息；控制端用于接收控制电压，以调整检测端和存储端之间的阻抗特性，复位开关包括复位控制端、复位检测端和复位端，复位控制端用于接收复位电压；复位端用于接收复位状态电平；控制模块，用于控制计算阵列进行存储操作、读取操作、计算操作中的至少一种操作。本公开实施例具有较高的面积效率，显著降低了存取数据、存内计算的功耗。
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公开(公告)号：CN116150084A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310179670.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种存内计算装置、神经网络芯片和电子设备，所述装置包括：至少一个存算单元，存算单元包括至少一个只读存储器件、读写存储器件、开关器件、控制字线、计算位线，其中，所述读写存储器件存储的控制电压用于控制所述开关器件的导通状态，以调整所述只读存储器件的控制端和所述控制字线的连接关系，所述只读存储器件的第一端接地，所述只读存储器件的第二端连接于所述计算位线；控制模块，用于：通过所述控制字线写入待操作数据；通过所述计算位线获取所述待操作数据与所述只读存储器件的存储数据的运算结果。本公开实施例可以实现高效的存内运算，并且利用只读存储器件、读写存储器件实现存算单元，可以提高存内计算装置的面积效率。
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公开(公告)号：CN112133339A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010805784.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管的存内按位逻辑计算电路结构，该电路结构包括至少一个晶体管的电路结构单元所组成的阵列电路、字线驱动电路、位线驱动电路、感测电路和其他外围电路，其中，字线驱动电路驱动阵列电路的第一字线、第二字线和第三字线；位线驱动电路驱动阵列电路的位线，感测电路读取和分析阵列电路的位线；其他外围电路连接外部信号和感测电路，根据外部信号的输入及感测电路的输出，计算得到逻辑结果。该电路结构利用铁电晶体管的高开关比等特性以及位线残余电荷的回收技术，实现高效的存内逻辑计算操作。
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公开(公告)号：CN112133339B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010805784.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管的存内按位逻辑计算电路结构，该电路结构包括至少一个晶体管的电路结构单元所组成的阵列电路、字线驱动电路、位线驱动电路、感测电路和其他外围电路，其中，字线驱动电路驱动阵列电路的第一字线、第二字线和第三字线；位线驱动电路驱动阵列电路的位线，感测电路读取和分析阵列电路的位线；其他外围电路连接外部信号和感测电路，根据外部信号的输入及感测电路的输出，计算得到逻辑结果。该电路结构利用铁电晶体管的高开关比等特性以及位线残余电荷的回收技术，实现高效的存内逻辑计算操作。
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