公开(公告)号：CN101839699A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010178097.7

申请日：2010-05-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢惠民 ,  王庆华 ,  徐可为 ,  王剑锋

IPC: G01B11/16

Abstract: 一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，属于变形测量、光测力学领域。本发明在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅作为微纳米标记，之后通过聚焦离子束在微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹以释放轴向残余应力，分别采集裂纹刻蚀前后的微纳米标记图像，利用数字图像相关法计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于残余应力释放引起的变形，即残余变形。该方法能原位制作微纳米标记、刻蚀裂纹、并采集图像，具有原位测量、定位准确、操作简单、非接触、数据处理方便、灵敏度高、测量精度高的优点。其中提出的聚焦离子束辐照法能快速制作散斑，工艺简单便捷。

公开(公告)号：CN101839699B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010178097.7

申请日：2010-05-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢惠民 ,  王庆华 ,  徐可为 ,  王剑锋

IPC: G01B11/16

Abstract: 一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，属于变形测量、光测力学领域。本发明在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅作为微纳米标记，之后通过聚焦离子束在微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹以释放轴向残余应力，分别采集裂纹刻蚀前后的微纳米标记图像，利用数字图像相关法计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于残余应力释放引起的变形，即残余变形。该方法能原位制作微纳米标记、刻蚀裂纹、并采集图像，具有原位测量、定位准确、操作简单、非接触、数据处理方便、灵敏度高、测量精度高的优点。其中提出的聚焦离子束辐照法能快速制作散斑，工艺简单便捷。