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公开(公告)号：CN118800651A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310400557.3
申请日：2023-04-14
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/288 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法及芯片。包括：ZnO纳米阵列结构制备过程和复合金纳米结构制备过程：ZnO纳米阵列结构制备过程，包括：在第一溶液环境下，通过第一电场控制方法在芯片的目标电极上制备ZnO纳米阵列结构；复合金纳米结构制备过程，包括：在ZnO纳米阵列结构上进行镀金，形成复合金纳米结构，复合金纳米结构包括依次层叠设置的第1层金纳米结构至第N层金纳米结构，N为大于等于2的正整数；制备第1层金纳米结构至第N层金纳米结构时，在镀金溶液环境下采用镀金电场控制方法进行镀金。能够在目标电极表面形成多尺度的复合金纳米结构，极大地增加了电极表面的有效面积，并形成纳米功能结构。
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