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公开(公告)号：CN102351515A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110196385.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将Ga2O3和In2O3的混合物进行烧结得到前驱体粉末；Ga2O3和In2O3的摩尔份数比为Ga1-xIn1+xO3中Ga和In的摩尔份数比，其中0.05≤x≤0.95；(2)将所述前驱体粉末进行放电等离子烧结并经退火后即得所述In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的方法与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，同时对材料的晶粒尺寸可控，可以合成一系列不同尺寸大小的陶瓷样品。
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