公开(公告)号：CN101786862A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910244633.6

申请日：2009-12-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  李国晶 ,  兰金叻 ,  南策文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种热电材料及其制备方法。所述热电材料由长度为2-5微米、厚度为100-400纳米的片状晶粒组成，所述热电材料的化学组成为Ca2-xBixCo2O5，其中：0＜x≤0.20。该方法包括步骤：按照通式Ca2-xBixCo2O5的化学计量比，其中0＜x≤0.20，配制含有Ca2+、Bi+3和Co+3的溶液；将所述溶液中的Ca2+、Bi+3和Co+3沉淀并过滤，得到沉淀物；将所述沉淀物在700-850℃进行煅烧，得到煅烧物；和将所述煅烧物用放电等离子体烧结法在700-850℃进行烧结，得到所述热电材料。该热电材料高温热电性能优异。该制备方法可以在较低的温度和较短的时间，合成化学均匀性好、热电性能优异的Ca2Co2O5基热电材料。

公开(公告)号：CN102351515A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110196385.X

申请日：2011-07-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  刘勇 ,  兰金叻 ,  成波 ,  刘大博 ,  南策文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将Ga2O3和In2O3的混合物进行烧结得到前驱体粉末；Ga2O3和In2O3的摩尔份数比为Ga1-xIn1+xO3中Ga和In的摩尔份数比，其中0.05≤x≤0.95；(2)将所述前驱体粉末进行放电等离子烧结并经退火后即得所述In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的方法与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，同时对材料的晶粒尺寸可控，可以合成一系列不同尺寸大小的陶瓷样品。

公开(公告)号：CN102643085A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210108160.9

申请日：2012-04-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  刘勇 ,  兰金叻 ,  刘耀春 ,  成波 ,  沈洋 ,  南策文

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法，其中，0≤x≤0.1；包括如下步骤：(1)按照BiCu1-xSeO中的化学计量比，称取Bi、Cu、Se和Bi2O3并进行混合得到混合物料；(2)将所述混合物料进行研磨得到前驱体粉末；(3)所述前驱体粉末经放电等离子烧结即得所述BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料；通过引入Cu缺陷，所得陶瓷材料既有较高电学性能，同时仍能保持住较低的热传输性能，具有很好的热电传输性能，是一类具有广阔应用前景的新型高温氧化物热电陶瓷材料。本发明的方法与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，同时合成工艺相对简单，可以一步合成BiCu1-xSeO基陶瓷样品。

公开(公告)号：CN101508560B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910119881.8

申请日：2009-03-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  兰金叻 ,  方辉 ,  南策文

IPC: H01L35/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01L35/22

Abstract: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2-2xZnxGexO3(0＜x≤0.20)的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。

公开(公告)号：CN101508560A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910119881.8

申请日：2009-03-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  兰金叻 ,  方辉 ,  南策文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01L35/34 ,  H01L35/22

Abstract: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2－2xZnxGexO3(0＜x≤0.20＝的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。