公开(公告)号：CN107176596A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201610143058.0

申请日：2016-03-11

Applicant: 深圳大学

Inventor： 杨海涛 ,  高玲 ,  尚福亮 ,  彭伟 ,  朱佐祥

IPC: C01B25/30 ,  B01J27/188 ,  C07C33/03 ,  C07C29/00

CPC classification number: C01B25/30 ,  B01J27/188 ,  C01P2006/10 ,  C07C29/00 ,  C07C33/03

Abstract: 一种WO3‑Li3PO4包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备WO3掺杂Li3PO4靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.1‑5at％)的WO3粉末掺杂，可制备出致密度超过95％，强度超过45MPa，维氏硬度大于295Mpa的掺杂Li3PO4靶材，这种掺杂Li3PO4靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。作为微电源方面，LiWPON薄膜具有热力学稳定性好、离子导电率高和电化学窗口宽等优点可用于制备电解质薄膜；化工上可做催化剂，用于制备烯丙醇；此外还用在气体敏感器中、特种激光玻璃、光盘、陶瓷材料等。

公开(公告)号：CN107176831A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201610143057.6

申请日：2016-03-11

Applicant: 深圳大学

Inventor： 杨海涛 ,  高玲 ,  尚福亮 ,  朱佐祥 ,  彭伟

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/628 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C04B35/447 ,  C04B35/62818 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种MoO3‑Li3PO4包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO3掺杂Li3PO4靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.1‑5at％)的MoO3粉末掺杂，可制备出致密度超过95％，强度超过50MPa，维氏硬度大于240Mpa的掺杂Li3PO4靶材，这种掺杂Li3PO4靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。作为微电源方面，LiMoPON薄膜具有热力学稳定性好、离子导电率高和电化学窗口宽等优点可用于制备电解质薄膜；化工上可做催化剂，用于制备烯丙醇；此外还用在气体敏感器中、特种激光玻璃、光盘、陶瓷材料等。

公开(公告)号：CN108863342A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710341423.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 深圳大学

Inventor： 沈金城 ,  尚福亮 ,  王晨 ,  肖超 ,  董磊 ,  朱佐祥 ,  彭伟 ,  高玲 ,  杨海涛

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14

Abstract: 一种高密度Nb‑ZnO材料的制备。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的Nb‑ZnO材料制备技术。把(0.005‑1at％)的Nb2O5与ZnO粉末经过充分混合、成型、烧结可制备出致密度超过99.8％，抗弯强度超过100MPa，电阻率小于2×10‑2Ω·cm的Nb‑ZnO材料。这种Nb‑ZnO材料，可制成溅射镀膜靶材，在显示、薄膜太阳能电池、low‑E玻璃等领域有极其广泛的应用。

公开(公告)号：CN107793145A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201610817752.6

申请日：2016-09-07

Applicant: 深圳大学

Inventor： 杨海涛 ,  高玲 ,  尚福亮 ,  朱佐祥 ,  彭伟

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6267 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62818 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08

Abstract: 一种TZO-MoO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2-0.5at％)的MoO3粉末掺杂，可制备出致密度超过99.9％，强度超过120MPa，电阻率小于5.0×10-3Ω·cm的掺杂TZO靶材，这种掺杂TZO靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势，在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用，是新一代透明导电膜，最有可能替代昂贵的ITO，在薄膜太阳能电池和low-E玻璃等领域，正显示出巨大的应用前景和市场，是一种被广泛研究的功能材料。

公开(公告)号：CN107793146A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201610817783.1

申请日：2016-09-07

Applicant: 深圳大学

Inventor： 杨海涛 ,  高玲 ,  尚福亮 ,  朱佐祥 ,  彭伟

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/628 ,  C04B35/622 ,  C23C14/34

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62818 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/3407

Abstract: 一种TZO-WO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备WO3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2-0.5at％)的WO3粉末掺杂，就可制备出致密度99％，强度大于118MPa，电阻率小于5×10-3Ω·cm的掺杂TZO靶材，这种掺杂TZO靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO薄膜是一种被广泛研究的功能材料。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势，在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用，是新一代透明导电膜，最有可能替代昂贵的ITO，在薄膜太阳能电池和low-E·玻璃等领域，正显示出巨大的应用前景和市场。

公开(公告)号：CN107176840A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201610143056.1

申请日：2016-03-11

Applicant: 深圳大学

Inventor： 杨海涛 ,  高玲 ,  尚福亮 ,  朱佐祥 ,  彭伟

IPC: C04B35/628 ,  C04B35/453

CPC classification number: C04B35/62818 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/77

Abstract: 一种AZO‑MoO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO3掺杂AZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.01‑0.1at％)的MoO3粉末掺杂，可制备出致密度超过99％，强度超过100MPa，电阻率小于8×10‑4Ω·cm的掺杂AZO靶材，这种掺杂AZO靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。AZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势，在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用，是新一代透明导电膜，最有可能替代昂贵的ITO，在薄膜太阳能电池和low‑E玻璃等领域，正显示出巨大的应用前景和市场，是一种被广泛研究的功能材料。