公开(公告)号：CN119630040A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411741027.6

申请日：2024-11-29

Applicant: 海南大学

Inventor： 徐彬艺 ,  沈重 ,  杨德坤 ,  梁伟

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/83 ,  H10D30/01 ,  H10D30/66

Abstract: 本发明涉及用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法，其包括漏极、n+衬底、n型漂移区和左右对称的两个源极，所述n‑漂移区上方设有n柱区，所述n柱区左右两端均包括左右对称的p1+基极区、高浓度的第一n+源区和低浓度的n1+区形成的超级结区，所述n柱区顶部两端包括左右对称的p+源区、p体区和高浓度的第二n+源区，所述n柱区顶部凹槽内设有p+屏蔽区，所述n柱区、p+屏蔽区、p体区、第二n+源区共同形成沟槽，所述沟槽上设有一层栅极氧化物层，所述栅极氧化物层上设有栅极金属；所述源极分别位于栅极氧化物层左右两端。本发明具有强大的反向恢复、提高电压电阻、减少寄生电容、提高开关速度、降低导通电阻的能力。

公开(公告)号：CN116682849A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310824660.0

申请日：2023-07-06

Applicant: 海南大学

Inventor： 徐彬艺 ,  张孝冬 ,  沈重 ,  郑理强 ,  梁伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种采用高压4H‑SiC半导体材料的UMOSFET结构，包括漏极、N+衬底、第一N‑漂移区、p/n交替缓冲层、第二N‑漂移区、n型掺杂包裹、p+栅氧保护、阶梯栅pn结、P‑体区、P+源区、N+源区、源极；还包括沟槽，沟槽贯穿N+源区、P‑体区，沟槽底部位于第二N‑漂移区内，沟槽内壁设有栅极氧化膜；本发明相对于传统结构，主要提出在N‑漂移区内引入p/n交替缓冲层，在p/n交替缓冲层上方设置p+栅氧保护区，在p+栅氧保护区上方设置阶梯栅pn结，从而解决电阻过大、栅氧电场过高的问题，同时提升器件的击穿电压，提高器件的高效性，达到优化器件性能的目的。