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公开(公告)号：CN119630040A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411741027.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明涉及用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法，其包括漏极、n+衬底、n型漂移区和左右对称的两个源极，所述n‑漂移区上方设有n柱区，所述n柱区左右两端均包括左右对称的p1+基极区、高浓度的第一n+源区和低浓度的n1+区形成的超级结区，所述n柱区顶部两端包括左右对称的p+源区、p体区和高浓度的第二n+源区，所述n柱区顶部凹槽内设有p+屏蔽区，所述n柱区、p+屏蔽区、p体区、第二n+源区共同形成沟槽，所述沟槽上设有一层栅极氧化物层，所述栅极氧化物层上设有栅极金属；所述源极分别位于栅极氧化物层左右两端。本发明具有强大的反向恢复、提高电压电阻、减少寄生电容、提高开关速度、降低导通电阻的能力。
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