公开(公告)号：CN104350016A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380028296.1

申请日：2013-05-23

Applicant: 浜松光子学株式会社 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  长泽郁夫

IPC: C03B33/09 ,  C03C21/00

CPC classification number: B23K26/53 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/033 ,  C03B33/04 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明的第一方案的强化玻璃板的切断方法具备：向中间层集聚激光并进行扫描，由此沿着第一切断预定线形成第一改性区域的步骤；及通过施加外力，使以第一改性区域为起点的裂纹沿着强化玻璃板的厚度方向伸展，将强化玻璃板分割的步骤。并且，其特征在于，在形成第一改性区域的步骤中，在强化玻璃板的破坏韧性设为Kc(MPa·√m)，残留于中间层的拉伸应力设为CT(MPa)，厚度方向上的第一改性区域的宽度设为d1(mm)的情况下，d1的值小于2×103×Kc2/{π×(CT)2}。

公开(公告)号：CN113539808A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110389491.3

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一 ,  长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/683

Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。

公开(公告)号：CN113539808B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202110389491.3

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一 ,  长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/683

Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。

公开(公告)号：CN113260492B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201980084472.0

申请日：2019-12-18

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 田中敦之 ,  笹冈千秋 ,  天野浩 ,  河口大祐 ,  和仁阳太郎 ,  伊崎泰则 ,  油井俊树

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工方法是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工方法，具备：通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，从而沿着假想面，以成为第1形成密度的方式形成多个第1改质点的第1工序；在第1工序之后，通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，从而沿着假想面，以成为比第1形成密度高的第2形成密度的方式形成多个第2改质点的第2工序。

公开(公告)号：CN113539928A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110389492.8

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐 ,  油井俊树 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。

公开(公告)号：CN105102178B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201480018596.6

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  中野诚 ,  杉尾良太 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/53 ,  B23K26/08

CPC classification number: B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56

Abstract: 本发明是经由将激光(L)聚光于加工对象物(1)，在加工对象物(1)中形成改质区域(7)，具备：射出激光(L)的激光光源、将由激光光源射出的激光(L)聚光于加工对象物(1)的聚光光学系统(4)、以及对经由聚光光学系统聚光于加工对象物(1)的激光(L)赋予像差的像差赋予部(203)。在激光(L)的光轴方向上由将激光(L)聚光于加工对象物(1)所引起的产生于该聚光位置的像差的聚光产生像差的范围为基准像差范围的情况下，像差赋予部(203)，是在光轴方向具有比基准像差范围更长的长范围作为像差的范围，且以光轴方向中的激光(L)的强度分布在长范围具有连续的强弱的方式对激光赋予第1像差，从而提高加工品质。

公开(公告)号：CN105324207B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480018906.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  中野诚 ,  杉尾良太 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56

Abstract: 激光加工装置是通过将超短脉冲光的激光聚光在加工对象物(1)从而在加工对象物(1)形成改质区域(7)的激光加工装置，具备将激光(L)射出的激光光源(202)、将由激光光源(202)射出的激光(L)聚光在加工对象物(1)的聚光光学系统(4)、及对由聚光光学系统(4)聚光在加工对象物(1)的激光(L)赋予像差的像差赋予部(203)，在激光(L)的光轴方向上，在将由于将激光(L)聚光在加工对象物(1)而在该聚光位置产生的像差、即聚光产生像差的范围作为基准像差范围的情况下，像差赋予部(203)以将在光轴方向上比基准像差范围更长的长条范围作为像差的范围来具有，并且光轴方向上的激光的强度分布具有在长条范围连续的强弱的方式对激光赋予第1像差，由此提高加工品质。

公开(公告)号：CN105102179A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018976.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/0057 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/54 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/07 ,  H01L21/78 ,  Y02P40/57

Abstract: 激光加工装置通过使激光相对于包含硅的硅部经由树脂部而层叠于包含玻璃的玻璃部而成的加工对象物聚光从而沿着切断预定线在加工对象物的内部形成改质区域。激光加工装置具备：激光光源，其射出激光；空间光调制器，调制由激光光源射出的激光；及聚光光学系统，将通过空间光调制器调制后的激光聚光于加工对象物。空间光调制器在将改质区域形成于玻璃部的情况下，通过将轴棱锥透镜图案作为调制图案来显示，从而以在沿着激光照射方向接近排列的多个位置形成聚光点的方式使激光聚光于玻璃部。

公开(公告)号：CN102470550A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029904.7

申请日：2010-07-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  内山直己 ,  河口大祐

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B32B37/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  B32B38/0004 ,  H01L21/78 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49787 ,  Y10T156/1052

Abstract: 由于硅基板(12)的主面成为(100)面，因而以熔融处理区域(13)作为起点而产生的龟裂(17)，向硅基板(12)的劈开方向(与硅基板(12)的主面垂直的方向)伸展。此时，由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)的表面(10a)通过阳极接合而接合，因而龟裂(17)连续且几乎不改变其方向地，到达加工对象物(1A)的表面(1a)。而且，当使应力产生于分断用加工对象物(10A)时，由于龟裂(17)到达分断用加工对象物(10A)的背面(10b)，因而龟裂(17)容易向加工对象物(1A)侧伸展。

公开(公告)号：CN116895522A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310350521.9

申请日：2023-04-04

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 中林正助 ,  长屋正武 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  小岛淳 ,  河口大祐 ,  杉浦隆二 ,  油井俊树 ,  原佳祐 ,  荒谷知巳

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/28 ,  H01L21/428 ,  H01L21/44 ,  H01L21/463

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。