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公开(公告)号：CN102483320A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038809.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 膜厚测定装置(1A)包括：测定光源(28)，其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15)；分光光学系统(30)及光检测器(31)，其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度；以及膜厚解析部(40)，其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。膜厚解析部(40)根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形，求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值，并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此，实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法，其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量，也可高精度地测定该膜厚变化量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102483320B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080038809.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 膜厚测定装置(1A)包括：测定光源(28)，其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15)；分光光学系统(30)及光检测器(31)，其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度；以及膜厚解析部(40)，其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。膜厚解析部(40)根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形，求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值，并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此，实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法，其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量，也可高精度地测定该膜厚变化量。
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公开(公告)号：CN102341670B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201080010049.5
申请日：2010-01-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0633 , G01B11/0683
Abstract: 膜厚测量装置(1A)被构成为具有：测量光源(28)，其将包含第1波长(λ1)的测量光成分及第2波长(λ2)的测量光成分的测量光供给至测量对象物(15)；分光光学系统(30)，其将来自测量对象物(15)的上面的反射光与来自下面的反射光的干涉光，分解成第1波长(λ1)的干涉光成分、及第2波长(λ2)的干涉光成分；光检测器(31、32)，其检测第1、第2干涉光成分各自在各时点的强度；以及膜厚解析部(40)。膜厚解析部(40)基于第1干涉光成分的检测强度的时间变化中的第1相位与第2干涉光成分的检测强度的时间变化中的第2相位的相位差，求得测量对象物(15)的膜厚的时间变化。由此，实现了能够高精度地测量膜状的测量对象物的膜厚的时间变化的膜厚测量装置及膜厚测量方法。
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公开(公告)号：CN102187203B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980140897.5
申请日：2009-09-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/02 , G01J3/0262 , G01J3/0267 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01J3/443 , G01N2201/0632 , G01N2201/065
Abstract: 本发明涉及分光测定装置、分光测定方法以及分光测定程序。具备在内部配置试料(S)的积分球(20)、对来自试料(S)的被测定光进行分光从而取得波长光谱的分光分析装置(30)以及数据解析装置(50)从而构成分光测定装置(1A)。解析装置(50)具有在波长光谱中设定对应于激励光的第1对象区域以及对应于来自试料(S)的发光的第2对象区域的对象区域设定部、以及求得试料(S)的发光量子收率的试料信息解析部，根据参照测定以及样品测定的结果求得发光量子收率的测定值φ0，并且使用与参照测定中的杂散光相关的系数β、γ，并由φ＝βφ0+γ求得降低了杂散光的影响的发光量子收率的解析值φ。由此，实现了可以降低在分光器内所发生的杂散光的影响的分光测定装置、测定方法以及测定程序。
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公开(公告)号：CN102341670A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010049.5
申请日：2010-01-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0633 , G01B11/0683
Abstract: 膜厚测量装置(1A)被构成为具有：测量光源(28)，其将包含第1波长(λ1)的测量光成分及第2波长(λ2)的测量光成分的测量光供给至测量对象物(15)；分光光学系统(30)，其将来自测量对象物(15)的上面的反射光与来自下面的反射光的干涉光，分解成第1波长(λ1)的干涉光成分、及第2波长(λ2)的干涉光成分；光检测器(31、32)，其检测第1、第2干涉光成分各自在各时点的强度；以及膜厚解析部(40)。膜厚解析部(40)基于第1干涉光成分的检测强度的时间变化中的第1相位与第2干涉光成分的检测强度的时间变化中的第2相位的相位差，求得测量对象物(15)的膜厚的时间变化。由此，实现了能够高精度地测量膜状的测量对象物的膜厚的时间变化的膜厚测量装置及膜厚测量方法。
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公开(公告)号：CN102187203A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140897.5
申请日：2009-09-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/645 , G01J3/02 , G01J3/0262 , G01J3/0267 , G01J3/0291 , G01J3/4406 , G01J3/443 , G01N2201/0632 , G01N2201/065
Abstract: 本发明涉及分光测定装置、分光测定方法以及分光测定程序。具备在内部配置试料(S)的积分球(20)、对来自试料(S)的被测定光进行分光从而取得波长光谱的分光分析装置(30)以及数据解析装置(50)从而构成分光测定装置(1A)。解析装置(50)具有在波长光谱中设定对应于激励光的第1对象区域以及对应于来自试料(S)的发光的第2对象区域的对象区域设定部、以及求得试料(S)的发光量子收率的试料信息解析部，根据参照测定以及样品测定的结果求得发光量子收率的测定值φ0，并且使用与参照测定中的杂散光相关的系数β、γ，并由φ＝βφ0+γ求得降低了杂散光的影响的发光量子收率的解析值φ。由此，实现了可以降低在分光器内所发生的杂散光的影响的分光测定装置、测定方法以及测定程序。
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