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公开(公告)号:CN102341670A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201080010049.5
申请日:2010-01-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0633 , G01B11/0683
Abstract: 膜厚测量装置(1A)被构成为具有:测量光源(28),其将包含第1波长(λ1)的测量光成分及第2波长(λ2)的测量光成分的测量光供给至测量对象物(15);分光光学系统(30),其将来自测量对象物(15)的上面的反射光与来自下面的反射光的干涉光,分解成第1波长(λ1)的干涉光成分、及第2波长(λ2)的干涉光成分;光检测器(31、32),其检测第1、第2干涉光成分各自在各时点的强度;以及膜厚解析部(40)。膜厚解析部(40)基于第1干涉光成分的检测强度的时间变化中的第1相位与第2干涉光成分的检测强度的时间变化中的第2相位的相位差,求得测量对象物(15)的膜厚的时间变化。由此,实现了能够高精度地测量膜状的测量对象物的膜厚的时间变化的膜厚测量装置及膜厚测量方法。
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公开(公告)号:CN102341670B
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201080010049.5
申请日:2010-01-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0633 , G01B11/0683
Abstract: 膜厚测量装置(1A)被构成为具有:测量光源(28),其将包含第1波长(λ1)的测量光成分及第2波长(λ2)的测量光成分的测量光供给至测量对象物(15);分光光学系统(30),其将来自测量对象物(15)的上面的反射光与来自下面的反射光的干涉光,分解成第1波长(λ1)的干涉光成分、及第2波长(λ2)的干涉光成分;光检测器(31、32),其检测第1、第2干涉光成分各自在各时点的强度;以及膜厚解析部(40)。膜厚解析部(40)基于第1干涉光成分的检测强度的时间变化中的第1相位与第2干涉光成分的检测强度的时间变化中的第2相位的相位差,求得测量对象物(15)的膜厚的时间变化。由此,实现了能够高精度地测量膜状的测量对象物的膜厚的时间变化的膜厚测量装置及膜厚测量方法。
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公开(公告)号:CN103140750B
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201180044880.7
申请日:2011-09-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/55 , G01B11/0625 , G01B11/0658 , G01N21/31
Abstract: 本发明的反射率测定装置(1)具备:测定光源(30),对测定对象物供给照射光(L1);分光检测部(80),对各波长检测照射光(L1)的强度及来自测定对象物的反射光(L2)的强度;系数记录部(92),记录将照射光(L1)的各波长的强度检测值转换成相当于来自基准测定对象物的反射光(L2)的各波长的强度检测值的转换系数K(λ);及反射率计算部(93),基于根据照射光(L1)的各波长的强度检测值及转换系数K(λ)求得的、相当于来自基准测定对象物的反射光(L2)的各波长的强度的值,计算各波长的反射率。由此,可高精度地测定测定对象物的各波长的反射率。
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公开(公告)号:CN105940282B
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201480074364.2
申请日:2014-10-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 膜厚测量装置(1A)包括:光照射部(10),其向测量对象物(100)照射光;光检测部(20A),其对反射光的各波长的强度进行检测;及膜厚算出部(30A),其通过对实测分光反射率与理论分光反射率进行比较而决定第1膜(102)的膜厚,上述实测分光反射率基于光检测部(20A)的检测结果而获得,上述理论分光反射率采纳有表面反射率及表面透过率、以及背面反射率者。膜厚算出部(30A)对分别使表面反射率的值及表面透过率的值、以及背面反射率的值变化而获得的多个理论分光反射率与实测分光反射率进行比较,基于最接近于该实测分光反射率的理论分光反射率,决定第1膜(102)的膜厚。
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公开(公告)号:CN102483320A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201080038809.3
申请日:2010-07-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 膜厚测定装置(1A)包括:测定光源(28),其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15);分光光学系统(30)及光检测器(31),其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度;以及膜厚解析部(40),其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。膜厚解析部(40)根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形,求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值,并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此,实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法,其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量,也可高精度地测定该膜厚变化量。
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公开(公告)号:CN105940282A
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201480074364.2
申请日:2014-10-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01B11/0625 , G01B11/0691 , G01N21/27
Abstract: 膜厚测量装置(1A)包括:光照射部(10),其向测量对象物(100)照射光;光检测部(20A),其对反射光的各波长的强度进行检测;及膜厚算出部(30A),其通过对实测分光反射率与理论分光反射率进行比较而决定第1膜(102)的膜厚,上述实测分光反射率基于光检测部(20A)的检测结果而获得,上述理论分光反射率采纳有表面反射率及表面透过率、以及背面反射率者。膜厚算出部(30A)对分别使表面反射率的值及表面透过率的值、以及背面反射率的值变化而获得的多个理论分光反射率与实测分光反射率进行比较,基于最接近于该实测分光反射率的理论分光反射率,决定第1膜(102)的膜厚。
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公开(公告)号:CN102483320B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201080038809.3
申请日:2010-07-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 膜厚测定装置(1A)包括:测定光源(28),其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15);分光光学系统(30)及光检测器(31),其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度;以及膜厚解析部(40),其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。膜厚解析部(40)根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形,求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值,并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此,实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法,其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量,也可高精度地测定该膜厚变化量。
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公开(公告)号:CN103140750A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201180044880.7
申请日:2011-09-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/55 , G01B11/0625 , G01B11/0658 , G01N21/31
Abstract: 本发明的反射率测定装置(1)具备:测定光源(30),对测定对象物供给照射光(L1);分光检测部(80),对各波长检测照射光(L1)的强度及来自测定对象物的反射光(L2)的强度;系数记录部(92),记录将照射光(L1)的各波长的强度检测值转换成相当于来自基准测定对象物的反射光(L2)的各波长的强度检测值的转换系数K(λ);及反射率计算部(93),基于根据照射光(L1)的各波长的强度检测值及转换系数K(λ)求得的、相当于来自基准测定对象物的反射光(L2)的各波长的强度的值,计算各波长的反射率。由此,可高精度地测定测定对象物的各波长的反射率。
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