公开(公告)号：CN118382348A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410271483.2

申请日：2024-03-11

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 范丽莎 ,  吕益峰 ,  姚建华 ,  陈智君 ,  胡勇 ,  丁孝禹 ,  赵天真

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种利用激光自组装制备氧化铈纳米柱阵列结构忆阻器的方法，包括：步骤1，将氧化铈靶材固定于脉冲激光沉积仪真空腔室的靶材托；将单晶NSTO衬底置于样品托上；步骤2，将真空腔室抽至真空，设置真空腔室的参数和激光参数，通过脉冲激光轰击靶材，脉冲激光的重复频率为1‑8Hz；步骤3，激光打击完毕后，待真空腔室温度自然降到常温后，取出并得到底电极层和阻变存储层的组合件；步骤4，采用磁控溅射镀膜工艺在步骤3制备的阻变存储层表面镀膜沉积顶电极层，得到氧化铈纳米柱忆阻器。本发明可实现氧化铈纳米结构的可控设计。本发明所设计的氧化铈纳米柱忆阻器具有高稳定性、高可靠性、高阻变开关比。