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公开(公告)号：CN112093858B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010824743.6
申请日：2020-08-17
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高寿命二氧化铅电极制备及其智能设计方法，属于电化学技术领域。在高寿命二氧化铅阳极处理有机污染物的过程中，阳极稳定性高，使用寿命较长，可以降低电化学技术的运行费用。本发明提供的第一种高寿命二氧化铅电极，包括一层二氧化铅表面活性层，一层锡锑氧化物中间层和一层钛基体，形成三层夹层结构，具有表面活性位点和氧化还原位点。本发明提供的第二种高寿命二氧化铅电极，晶粒呈金字塔型结构，其表面致密，比表面积大，有利于提高表面活性层和基体之间附着力。本发明提出的高寿命二氧化铅电极，其能够可有效阻挡H2SO4的腐蚀，提高电极的稳定性和使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111714975B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010523159.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 浙江工业大学
IPC: B01D46/00 , B01D53/04 , B01D53/75 , B01D53/86 , B60L50/72 , H01M8/04082 , H01M8/04089
Abstract: 本发明公开了一种用于车载燃料电池的板式进气净化器、进气系统及方法。空气中的污染物会对质子交换膜燃料电池造成不同程度的不可逆损害。本发明一种车载燃料电池的板式进气净化器，包括净化器壳体、进气通道、出气通道、气流均布板、除尘层、第一吸附催化层和第二吸附催化层。进气通道沿着净化器壳体的切向设置。除尘层、第一吸附催化层、第二吸附催化层均设置在净化器壳体内，且沿着进气通道到出气通道的方向依次间隔排列。本发明中的除尘层、第一吸附催化层和第二吸附催化层呈三层“板式结构”，各层“塔板”位置与填料厚度经过优化设计，提高了传质和吸附催化效率；此外，各层“塔板”采用抽拉式设计，填料更换更为方便。
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公开(公告)号：CN112093858A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010824743.6
申请日：2020-08-17
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高寿命二氧化铅电极制备及其智能设计方法，属于电化学技术领域。在高寿命二氧化铅阳极处理有机污染物的过程中，阳极稳定性高，使用寿命较长，可以降低电化学技术的运行费用。本发明提供的第一种高寿命二氧化铅电极，包括一层二氧化铅表面活性层，一层锡锑氧化物中间层和一层钛基体，形成三层夹层结构，具有表面活性位点和氧化还原位点。本发明提供的第二种高寿命二氧化铅电极，晶粒呈金字塔型结构，其表面致密，比表面积大，有利于提高表面活性层和基体之间附着力。本发明提出的高寿命二氧化铅电极，其能够可有效阻挡H2SO4的腐蚀，提高电极的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114622235B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210199071.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C25B11/061 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN111714975A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010523159.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 浙江工业大学
IPC: B01D46/00 , B01D53/04 , B01D53/75 , B01D53/86 , B60L50/72 , H01M8/04082 , H01M8/04089
Abstract: 本发明公开了一种用于车载燃料电池的板式进气净化器、进气系统及方法。空气中的污染物会对质子交换膜燃料电池造成不同程度的不可逆损害。本发明一种车载燃料电池的板式进气净化器，包括净化器壳体、进气通道、出气通道、气流均布板、除尘层、第一吸附催化层和第二吸附催化层。进气通道沿着净化器壳体的切向设置。除尘层、第一吸附催化层、第二吸附催化层均设置在净化器壳体内，且沿着进气通道到出气通道的方向依次间隔排列。本发明中的除尘层、第一吸附催化层和第二吸附催化层呈三层“板式结构”，各层“塔板”位置与填料厚度经过优化设计，提高了传质和吸附催化效率；此外，各层“塔板”采用抽拉式设计，填料更换更为方便。
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公开(公告)号：CN114622235A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210199071.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C25B11/061 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。
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