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公开(公告)号：CN108660432B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810247215.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40‑60分钟，制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10‑30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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公开(公告)号：CN108531883B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810246649.X
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在通过物理气相沉积(PVD)了过渡层的硅衬底上制备超薄纳米金刚石薄膜，过渡层的厚度为50‑100nm。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约10‑30分钟，制备得到厚度200‑300nm的超薄纳米金刚石薄膜。对超薄纳米金刚石薄膜注入施主杂质离子，注入后的样品再进行低真空氧化退火，即得到所述具有新颖微结构的高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜。该结果对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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公开(公告)号：CN108660432A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810247215.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40-60分钟，制备得到厚度1-3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10-30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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公开(公告)号：CN108531883A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810246649.X
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在通过物理气相沉积(PVD)了过渡层的硅衬底上制备超薄纳米金刚石薄膜，过渡层的厚度为50-100nm。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约10-30分钟，制备得到厚度200-300nm的超薄纳米金刚石薄膜。对超薄纳米金刚石薄膜注入施主杂质离子，注入后的样品再进行低真空氧化退火，即得到所述具有新颖微结构的高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜。该结果对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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公开(公告)号：CN117998363A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410093572.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H04W12/121 , H04L9/40
Abstract: 本发明涉及广播式自动相关监视技术的报文安全领域，具体涉及一种基于自监督学习的ADS‑B异常检测方法。本发明包括：获取ADS‑B报文序列，对ADS‑B报文序列进行预处理，并按设定比例分成训练集和测试集；根据测试集生成重构数据测试集；构建条件扩散模型和损失函数，将训练集输入条件扩散模型进行训练；利用输入序列和条件扩散模型的输出序列求重构误差，得到判断异常的阈值；将重构数据测试集输入训练好的条件扩散模型，输出重构序列；对重构数据测试集中的和重构序列求重构误差，对于重构误差大于阈值的数据判定为异常数据。本发明利用条件扩散模型以实现报文的重构，最终通过重构误差来检测异常。
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