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公开(公告)号：CN108660432B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810247215.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40‑60分钟，制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10‑30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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公开(公告)号：CN108531883B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810246649.X
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在通过物理气相沉积(PVD)了过渡层的硅衬底上制备超薄纳米金刚石薄膜，过渡层的厚度为50‑100nm。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约10‑30分钟，制备得到厚度200‑300nm的超薄纳米金刚石薄膜。对超薄纳米金刚石薄膜注入施主杂质离子，注入后的样品再进行低真空氧化退火，即得到所述具有新颖微结构的高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜。该结果对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108660429A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810245815.4
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高电导率和高迁移率的n型纳米金刚石薄膜的制备方法：对单晶硅衬底采用手工打磨和超声振荡结合的预处理方式；采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备具有新颖微结构的纳米金刚石薄膜，薄膜具有高电导率和高n型载流子迁移率，对于实现其在半导体器件和场致发射显示器等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN109252212A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811136768.6
申请日：2018-09-28
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供了一种具有表面纳米结构的SiV发光单晶金刚石颗粒及其制备方法，所述的SiV发光在PL谱中特征峰位于738nm处，线宽较窄(3～6nm)，室温下稳定；本发明在单晶金刚石颗粒表面构建纳米结构，并优化了金刚石的质量，显著增强其SiV发光，其发光强度较未处理的单晶金刚石颗粒提高了4-30倍；本发明方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN108660429B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810245815.4
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高电导率和高迁移率的n型纳米金刚石薄膜的制备方法：对单晶硅衬底采用手工打磨和超声振荡结合的预处理方式；采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备具有新颖微结构的纳米金刚石薄膜，薄膜具有高电导率和高n型载流子迁移率，对于实现其在半导体器件和场致发射显示器等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN108660432A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810247215.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40-60分钟，制备得到厚度1-3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10-30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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公开(公告)号：CN108531883A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810246649.X
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在通过物理气相沉积(PVD)了过渡层的硅衬底上制备超薄纳米金刚石薄膜，过渡层的厚度为50-100nm。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约10-30分钟，制备得到厚度200-300nm的超薄纳米金刚石薄膜。对超薄纳米金刚石薄膜注入施主杂质离子，注入后的样品再进行低真空氧化退火，即得到所述具有新颖微结构的高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜。该结果对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
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