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公开(公告)号：CN104466089B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410764757.8
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/58 , B82Y30/00
Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗‑超声波清洗‑冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
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公开(公告)号：CN104538587A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410765571.4
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397
CPC classification number: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/5815 , H01M2004/021
Abstract: FeS微米球结构薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS微米球结构薄膜。FeS微米球结构薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS微米球，每个FeS微米球由FeS纳米片聚集形成。本发明具有能够缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
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公开(公告)号：CN104538587B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410765571.4
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397
Abstract: FeS微米球结构薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS微米球结构薄膜。FeS微米球结构薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS微米球，每个FeS微米球由FeS纳米片聚集形成。本发明具有能够缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
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公开(公告)号：CN104466089A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410764757.8
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/58 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M4/5815 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
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