-
公开(公告)号：CN104638066B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510067375.4
申请日：2015-02-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底清洗好的基底备用；制备均匀透明的种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置均匀的前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；使基底的表面覆盖有ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列；将ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列薄膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中；硫化ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列成为ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列。本发明具有能够吸收太阳光谱中波长大于362nm的可见光，光吸收和光响应性能好的优点。
-
公开(公告)号：CN104538587B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410765571.4
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397
Abstract: FeS微米球结构薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS微米球结构薄膜。FeS微米球结构薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS微米球，每个FeS微米球由FeS纳米片聚集形成。本发明具有能够缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
-
公开(公告)号：CN104638067B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510065495.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种FeS2纳米管薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；配置改性溶液；ZnO纳米棒阵列进行改性处理，使ZnO纳米棒的外表面覆盖上均匀的一层负电荷层；将上述制得的PSS/PDDA改性的ZnO纳米棒阵列薄膜放在FeCl3 水溶液中至少静置；FTO基底上覆盖有Fe2O3纳米管阵列薄膜；Fe2O3纳米管阵列薄膜为中间产物薄膜；硫化Fe2O3纳米管阵列转化为FeS2纳米管阵列。本发明具有能使FeS2颗粒在均匀分布堆积成纳米管的优点。
-
公开(公告)号：CN103872186B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410103081.8
申请日：2014-03-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；形成均匀透明的种子层溶液；在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；在基底表面形成均匀致密的ZnO纳米棒阵列；将具有ZnO纳米棒阵列的基底放入反应釜的前驱体溶液内水热反应，在基底表面形成ZnO/Fe2O3核-壳结构纳米棒阵列；在基底表面得到Fe2O3纳米管阵列；硫化处理，Fe2O3纳米管阵列原位硫化转变成FeS2纳米管阵列。FeS2薄膜包括FTO导电玻璃基底，基底上覆盖有FeS2纳米管阵列，每个FeS2纳米管由FeS2颗粒堆积而成。本发明具有能增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
-
公开(公告)号：CN103824902B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410103793.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；室温下将具有ZnO纳米棒阵列薄膜的使基底的表面覆盖有Fe(OH)3纳米棒阵列；硫化处理，Fe(OH)3纳米棒阵列转化为FeS2纳米棒阵列。一种FeS2薄膜，包括由FTO导电玻璃制成的基底，基底上覆盖有FeS2纳米棒阵列，每个FeS2纳米棒由FeS2纳米颗粒堆积而成。本发明具有通过增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104538587A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410765571.4
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397
CPC classification number: H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/5815 , H01M2004/021
Abstract: FeS微米球结构薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS微米球结构薄膜。FeS微米球结构薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS微米球，每个FeS微米球由FeS纳米片聚集形成。本发明具有能够缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
-
公开(公告)号：CN104638067A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510065495.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/20 , H01L31/0296
Abstract: 一种FeS2纳米管薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；配置改性溶液；ZnO纳米棒阵列进行改性处理，使ZnO纳米棒的外表面覆盖上均匀的一层负电荷层；将上述制得的PSS/PDDA改性的ZnO纳米棒阵列薄膜放在FeCl3水溶液中至少静置；FTO基底上覆盖有Fe2O3纳米管阵列薄膜；Fe2O3纳米管阵列薄膜为中间产物薄膜；硫化Fe2O3纳米管阵列转化为FeS2纳米管阵列。本发明具有能使FeS2颗粒在均匀分布堆积成纳米管的优点。
-
公开(公告)号：CN104466089A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410764757.8
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/58 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M4/5815 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
-
公开(公告)号：CN102560374A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210006606.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗，再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干；溅射纯Fe膜，控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度，晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化，灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态，控制手段和过程更为灵活，有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。
-
公开(公告)号：CN104466089B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410764757.8
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/58 , B82Y30/00
Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗‑超声波清洗‑冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.032 seconds)
