二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109065867A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810876976.3

    申请日:2018-08-03

    CPC classification number: H01M4/362 B82Y30/00 H01M4/5815 H01M4/625 H01M10/0525

    Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料的制备方法,用于解决现有方法制备的负极材料倍率性差的技术问题。技术方案是将钼源溶于含有浓硝酸的去离子水中进行水热反应,得到三氧化钼纳米线前驱体。将三氧化钼分散于去离子水中,加入酸调节pH,再加入三氧化钼/硫源/吡咯单体溶解,水热反应得到二硫化钼/聚吡咯纳米线。将二硫化钼/聚吡咯纳米线平铺于瓷舟中,并将瓷舟放置于管式炉中,在惰性气氛下升温并保温后,冷却至室温,获得二硫化钼/氮掺杂碳纳米线负极材料。经测试,当电流密度为4A g‑1时,其比容量由背景技术的350mAh g‑1提高到506~600mAh g‑1,表现出超高的倍率特性。

    钠离子电池负极材料少层二硫化铼纳米片/空心碳球及其制备方法

    公开(公告)号:CN108807957A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201811009934.6

    申请日:2018-08-31

    Applicant: 扬州大学

    CPC classification number: H01M4/362 H01M4/5815 H01M4/583 H01M10/054

    Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池负极材料少层二硫化铼纳米片/空心碳球及其制备方法。所述负极材料是通过将二硫化铼纳米片附着在多孔的空心碳球内外碳壳形成,以高铼酸铵为前驱体、硫代乙酰胺为硫源、水合肼为还原剂和多孔空心碳球为二硫化铼生长骨架,制得所述的负极材料。本发明制备的负极材料,以粒径均一的空心多孔碳纳米球为骨架,将二硫化铼片层结构均匀的分散于碳壳上,多孔空心碳球的使用,限制了二硫化铼纳米片的生长层数在2~7之间,这种少层二硫化铼纳米片/空心碳球纳米复合材料,不仅具有多的嵌钠活性位点,高的导电性,内部的空腔还可以缓冲体积效应,防止片层脱落维持结构的稳定,且二硫化铼纳米片无明显团聚现象。

    一种双结构共晶碳包覆正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108682825A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810562815.7

    申请日:2018-06-04

    CPC classification number: H01M4/366 H01M4/5815 H01M4/583 H01M10/054

    Abstract: 本发明公开了一种双结构共晶碳包覆正极材料及其制备方法,首先通过砂磨、喷雾干燥以及焙烧处理等工艺手段,利用二次造粒控制技术以及高温固相控制结晶反应,得到了一次粒子亚微米化,二次颗粒微米化球形化层状TiS2和尖晶石Ti2S4共晶的复合材料;然后利用有机碳源的高温原位分解在共晶复合材料表面包覆了一层导电碳黑。本发明制备的材料比容量高,结构稳定性好,循环性能优异,采用了一次粒子亚微米化,二次颗粒微米化球形结构设计,不仅提高了复合材料的加工性能,而且可以仅在二次颗粒表层包碳,有效降低了碳的包覆量。

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