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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105778907A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610213877.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C09K11/678 , C09K11/592 , C09K11/607 , C09K11/646 , C09K11/687 , C09K11/873
Abstract: 本发明公开了一种发蓝光的氧化硅纳米材料的制备方法、其制备步骤包括首先在作为原材料的氧化硅的表面制备厚度为0.5 nm～50 nm的金属薄层、然后对沉积有金属薄层的氧化硅在硫气氛下进行热处理、热处理的温度为450℃～1030℃、最后降温得到氧化硅纳米材料。本发明制备氧化硅纳米材料的方法简单、原材料前驱体资源丰富、无毒、无害、制备过程对环境不存在不良影响。
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公开(公告)号：CN106549039A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610954919.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/122
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高性能的锗沟道量子阱场效应晶体管，包括半导体锗衬底；半导体锗衬底具有源端注入区和漏端注入区；源端注入区和漏端注入区之间的半导体锗衬底表面依次覆盖二维材料钝化层、栅极绝缘层和栅电极；源端注入区和漏端注入区均设有N+或P+有源注入区。本结构的量子阱晶体管在工作时能够获得比传统锗基金属氧化物半导体场效应晶体管更大的工作电流。栅叠层中的二维材料，由于其层数减少时能带结构会发生变化，特定层数对应的能带结构与锗的能带结构的相对位置偏差使锗沟道形成一个量子阱，这能有效地限制电子和空穴两种载流子的输运空间，减少载流子散射对迁移率的影响，提高器件工作电流，实现低功耗高性能的P型和N型晶体管。
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公开(公告)号：CN105778907B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610213877.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种发蓝光的氧化硅纳米材料的制备方法、其制备步骤包括首先在作为原材料的氧化硅的表面制备厚度为0.5nm～50nm的金属薄层、然后对沉积有金属薄层的氧化硅在硫气氛下进行热处理、热处理的温度为450℃～1030℃、最后降温得到氧化硅纳米材料。本发明制备氧化硅纳米材料的方法简单、原材料前驱体资源丰富、无毒、无害、制备过程对环境不存在不良影响。
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公开(公告)号：CN102087173B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010533303.1
申请日：2010-11-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于根际微域研究的根箱试验装置，包括根箱、根际隔层、隔板、倾斜板、取样板以及渗漏管，倾斜板和隔板设于根箱的上部，渗透管铺设在根箱底部，倾斜板设于根箱的箱壁与隔板之间，呈水平倾斜30°放置，倾斜板上开有用于定植作物的定植口，隔板上开有出根缝，根际隔层由塑料板、尼龙网和斜片构成，取样板与塑料板尺寸相同，取样板的中间挖空。本发明装置不仅能进行根系周围不同毫米级别的根际微域研究，避免非根际土壤影响，而且可以用于研究根系不同部位的区域分异特征。
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公开(公告)号：CN102087173A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010533303.1
申请日：2010-11-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于根际微域研究的根箱试验装置，包括根箱、根际隔层、隔板、倾斜板、取样板以及渗漏管，倾斜板和隔板设于根箱的上部，渗透管铺设在根箱底部，倾斜板设于根箱的箱壁与隔板之间，呈水平倾斜30°放置，倾斜板上开有用于定植作物的定植口，隔板上开有出根缝，根际隔层由塑料板、尼龙网和斜片构成，取样板与塑料板尺寸相同，取样板的中间挖空。本发明装置不仅能进行根系周围不同毫米级别的根际微域研究，避免非根际土壤影响，而且可以用于研究根系不同部位的区域分异特征。
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