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公开(公告)号：CN102394594B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110254932.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种数控体偏置型C类反相器。本发明的数控体偏置型C类反相器包括主体C类反相器模块、数控PMOS体调制模块和数控NMOS体调制模块，其中数控PMOS体调制模块和数控NMOS体调制模块通过“参数感应-电流比较-数字控制-体偏压产生及反馈”等环节能够更加精确地控制所述的主体C类反相器模块中第一PMOS管和第一NMOS管的阈值电压、漏源电流和跨导等参数，因而大大减弱工艺偏差、电源电压扰动和温度变化对主体C类反相器模块的不利影响。本发明的数控体偏置型C类反相器适用于开关电容积分器、Sigma-Delta模数转换器等极低功耗高精度的应用场合。
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公开(公告)号：CN101969307A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010262058.5
申请日：2010-08-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种能更好抑制音调效应的改进型数据加权平均算法，该算法通过两个计数器来控制第二桶式移位寄存器来对传统数据加权平均算法结果进行修正。同时本发明还提供了实现该算法的装置，包括延迟单元、加法器、温度计码产生器、第一桶式移位寄存器、第一比较器、第一计数器、第二比较器、第二计数器和第二桶式移位寄存器。这种改进型数据加权平均算法能很好的处理了信噪失真比和音调效应这对矛盾，整体来看，保证单位元件被平均使用，从而不会造成信噪失真比的很大衰减，局部来看，这种算法能破坏单位元件选择的规律性，最大程度上抑制音调效应，可以将带内音调降到很低。
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公开(公告)号：CN102025377B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010298061.2
申请日：2010-09-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种改进型级联积分梳妆插值滤波器，依次包括：(1)一第一滤波器单元，包括一梳妆滤波器组、一积分器组和一插值器；(2)一第二滤波器单元，包括一梳妆滤波器组、一积分器组和一插值器；(3)一通带滚降补偿单元，包括两加法器、两延迟单元和和两常数乘法单元；用于弥补递归型CIC插值滤波器通带滚降。本发明的改进型级联积分梳妆插值滤波器能同时的防止通带滚降和增大阻带衰减，在实现的时候利用置换原则，将通带补偿单元放在整个系统的前面来处理信号，同时将第二滤波单元放在第一滤波器单元的前面来处理信号，这样可以进一步降低功耗，减少硬件开销。
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公开(公告)号：CN102394594A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110254932.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种数控体偏置型C类反相器。本发明的数控体偏置型C类反相器包括主体C类反相器模块、数控PMOS体调制模块和数控NMOS体调制模块，其中数控PMOS体调制模块和数控NMOS体调制模块通过“参数感应-电流比较-数字控制-体偏压产生及反馈”等环节能够更加精确地控制所述的主体C类反相器模块中第一PMOS管和第一NMOS管的阈值电压、漏源电流和跨导等参数，因而大大减弱工艺偏差、电源电压扰动和温度变化对主体C类反相器模块的不利影响。本发明的数控体偏置型C类反相器适用于开关电容积分器、Sigma-Delta模数转换器等极低功耗高精度的应用场合。
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公开(公告)号：CN101857272A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010206496.X
申请日：2010-06-22
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 本发明公开了一种微纳针状结构KNbO3的制备方法，其步骤如下：以KOH和Nb2O5为反应物置于水热反应釜中，再将清洗干净的衬底置于反应釜中；向反应釜内注入去离子水，搅拌均匀后密封反应釜，在150～250℃下保温1～7天进行水热反应，反应结束后自然冷却到室温，取出衬底，干燥。本发明制备方法简单、所需的设备便宜，易操作且低能耗，所需原料易得、重复利用性强，价格低廉，制得的微纳针状结构KNbO3材料具有规则的几何外形，可广泛应用于生物体荧光标记、非线性光学器件等电、光领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101172655A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710156185.5
申请日：2007-10-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了LiNbO3纳米线的制备方法，其步骤如下：以LiOH·H2O、Nb2O5、KOH为反应物置于反应釜中，再将衬底倾斜放置于反应釜中；向反应釜中注入去离子水至反应釜容积的80％，密封反应釜，在150℃～220℃下保温1到7天进行水热反应，制得LiNbO3纳米线。本发明制备方法设备简单便宜，易于操作；所需原料易得、重复利用性强；解决了LiNbO3材料光波导、表面声波器件制备由微米水平向纳米水平跨入问题，制得的LiNbO3纳米线在光波导和声波器件应用方面有更大优势。
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公开(公告)号：CN102291103B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110186904.4
申请日：2011-07-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种动态体偏置型C类反相器及其应用。本发明的动态体偏置型C类反相器包括开关体偏置型C类反相器、第一增益自举模块、第二增益自举模块、PMOS体电位调制模块和NMOS体电位调制模块，其中开关体偏置型C类反相器的两个输入管体端都单独引出，与开关相连，通过开关切换进行动态体偏置，使得两个输入管在不同的开关相位具有不同的阈值电压和跨导等参数；本发明具有直流增益高以及抗工艺涨落、电源电压扰动和温度偏差能力较强等优点，同时大大降低了C类反相器在亚阈值状态时的静态功耗，可构成伪差分结构开关电容积分器，并适用于2-1级联Sigma-Delta模数转换器等极低功耗高精度的应用场合。
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公开(公告)号：CN101969307B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010262058.5
申请日：2010-08-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种能更好抑制音调效应的改进型数据加权平均算法，该算法通过两个计数器来控制第二桶式移位寄存器来对传统数据加权平均算法结果进行修正。同时本发明还提供了实现该算法的装置，包括延迟单元、加法器、温度计码产生器、第一桶式移位寄存器、第一比较器、第一计数器、第二比较器、第二计数器和第二桶式移位寄存器。这种改进型数据加权平均算法能很好的处理了信噪失真比和音调效应这对矛盾，整体来看，保证单位元件被平均使用，从而不会造成信噪失真比的很大衰减，局部来看，这种算法能破坏单位元件选择的规律性，最大程度上抑制音调效应，可以将带内音调降到很低。
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公开(公告)号：CN102394634A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110280690.7
申请日：2011-09-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种数模混合控制体偏置型C类反相器，包括主体C类反相器模块、PMOS体调制模块和NMOS体调制模块，其中PMOS体调制模块和NMOS体调制模块通过“参数感应-电流比较-数字计数-模拟转换-体偏压产生及反馈”等环节能够更加精确地控制所述的主体C类反相器模块中第一PMOS管和第一NMOS管的阈值电压、漏源电流和跨导等参数，因而大大减弱工艺偏差、电源电压扰动和温度变化对主体C类反相器模块的不利影响。本发明的数模混合控制体偏置型C类反相器适用于开关电容积分器、Sigma-Delta模数转换器等极低功耗高精度的应用场合。
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公开(公告)号：CN102176185A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110025067.7
申请日：2011-01-24
Applicant: 浙江大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了一种亚阈值CMOS基准源，包括启动电路、正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，还设有体偏置补偿电路，与所述的正温度系数电路和负温度系数电路相连，用于产生体偏置电压，来控制所述的正温度系数电路和负温度系数电路中工作在亚阈值区域的NMOS管的阈值电压，以补偿由于电源电压变化导致的输出基准电压的偏差，最终在输出电路中产生一个温度系数近似为零的基准电压。本发明亚阈值CMOS基准源的输出基准电压值在电源电压变化时基本保持一致，电源抑制比和线性度得到有效的改善，而且没有明显增加电路复杂度。
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