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公开(公告)号：CN112305668B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011134130.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的阵列波导光栅，所述的阵列波导光栅包括输入星型耦合器(包括输入信道波导、输入平板波导和输入过渡波导)、阵列波导和输出星型耦合器(包括输出信道波导、输出平板波导和输出过渡波导，阵列波导通过输入过渡波导和输出过渡波导分别与输入星型耦合器和输出星型耦合器连接以减小散射损耗。本发明的双层结构的AWG，相比于传统的单层AWG，结合了强限制性波导(Δ>25％)和弱限制性波导(Δ
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公开(公告)号：CN109727849B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811542332.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种无串扰瞬时提高基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器响应度的方法。该方法基于对载流子耗尽型硅光功率监测器在微秒级时间范围内加热，短时间内使更多在缺陷态能级上的电子热激发到导带，增大光生载流子的数量，瞬时提高光功率监测器的响应度，并且利用DSP外围电路实时采集光功率监测器的输出电流。该方法使用CMOS工艺，将加热部分也集成在光电子芯片上，这样可以使在热电极半径70um的范围外的器件不受影响。从而实现了在不影响主要器件的工作性能下，瞬时提高了监测器响应度。在下文中，使用“硅光功率监测器”代表“基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器”。
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公开(公告)号：CN110737050A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910954096.8
申请日：2019-10-09
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基波导光栅可调谐波分复用系统的无中断调控方法。该系统基于硅基波导光栅实现，包括多级可调谐滤波器级联，每一级可调谐滤波器由两级相同的布拉格光栅滤波器级联构成，相邻两级可调谐滤波器之间通过单模波导连接，在每级可调谐滤波器中第一级布拉格光栅滤波器、第二级布拉格光栅滤波器及第二弯曲波导上均分别覆盖有金属电极；通过调控金属电极的电压既可以调控每级可调谐滤波器的下载通道的通断。本发明的调控方法当调节任意一级滤波器的工作波长时对其他级滤波器不产生影响，可以实现无中断调控。且本发明采用平面集成光波导工艺制作，一次刻蚀完成，易制作，成本低，损耗小，性能好。
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公开(公告)号：CN109727849A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811542332.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种无串扰瞬时提高基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器响应度的方法。该方法基于对载流子耗尽型硅光功率监测器在微秒级时间范围内加热，短时间内使更多在缺陷态能级上的电子热激发到导带，增大光生载流子的数量，瞬时提高光功率监测器的响应度，并且利用DSP外围电路实时采集光功率监测器的输出电流。该方法使用CMOS工艺，将加热部分也集成在光电子芯片上，这样可以使在热电极半径70um的范围外的器件不受影响。从而实现了在不影响主要器件的工作性能下，瞬时提高了监测器响应度。在下文中，使用“硅光功率监测器”代表“基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器”。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110768723A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910954076.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/2543 , H04B10/516 , H04B10/564 , G02F1/21 , G02F1/225
Abstract: 本发明公开了一种硅基调制深度可调双级联调制器及其微波光子链路高线性方法，该方法通过两个基于载流子耗尽型的硅基MZM1、MZM2和一个TROPS；TROPS级联在MZM1和MZM2之间。激光器输出的光信号经过偏振控制器，通过光纤耦合器耦合到DSMZMs，调制小信号通过50/50的EPS加载DSMZMs上，在链路接收端用光电二极管直接检测。调整TROPS的分配比γ控制MZM2的调制深度，同时调控MZM1和MZM2直流反偏电压以及偏置工作点，使两个调制器中的IMD3信号相互抑制，从而实现了基于硅基调制器的高线性微波光子链路，并从理论上详细推导分析了DSMZMs的FH和IMD3信号变化与反偏直流电压以及γ之间的关系。
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公开(公告)号：CN113075766A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110368231.8
申请日：2021-04-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双层结构的偏振不敏感波导光栅滤波器；包括偏振不敏感滤波器单元，所述偏振不敏感滤波器单元中包括硅波导切趾光栅层和氮化硅波导切趾光栅层，其中由硅波导切趾光栅针对TE信号进行滤波，由氮化硅波导切趾光栅针对TM信号进行滤波。所述的偏振不敏感滤波器单元可以采用多模波导型滤波器实现，也可以采用光栅辅助型滤波器实现；本发明的滤波器可以实现TE模式和TM模式的同时滤波，实现偏振不敏感的光栅滤波器，并且器件尺寸相比传统的采用偏振旋转器的方案可有效缩小一半。此外，本发明基于硅基以及氮化硅波导光栅滤波器，容差大，插损小，且中心波长调节范围不受FSR限制，并且通过设置不同的耦合系数可以实现不同带宽的滤波器。
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公开(公告)号：CN110737050B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910954096.8
申请日：2019-10-09
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基波导光栅可调谐波分复用系统的无中断调控方法。该系统基于硅基波导光栅实现，包括多级可调谐滤波器级联，每一级可调谐滤波器由两级相同的布拉格光栅滤波器级联构成，相邻两级可调谐滤波器之间通过单模波导连接，在每级可调谐滤波器中第一级布拉格光栅滤波器、第二级布拉格光栅滤波器及第二弯曲波导上均分别覆盖有金属电极；通过调控金属电极的电压既可以调控每级可调谐滤波器的下载通道的通断。本发明的调控方法当调节任意一级滤波器的工作波长时对其他级滤波器不产生影响，可以实现无中断调控。且本发明采用平面集成光波导工艺制作，一次刻蚀完成，易制作，成本低，损耗小，性能好。
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公开(公告)号：CN112305668A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011134130.6
申请日：2020-10-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的阵列波导光栅，所述的阵列波导光栅包括输入星型耦合器(包括输入信道波导、输入平板波导和输入过渡波导)、阵列波导和输出星型耦合器(包括输出信道波导、输出平板波导和输出过渡波导，阵列波导通过输入过渡波导和输出过渡波导分别与输入星型耦合器和输出星型耦合器连接以减小散射损耗。本发明的双层结构的AWG，相比于传统的单层AWG，结合了强限制性波导(Δ>25％)和弱限制性波导(Δ
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