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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109727849A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811542332.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种无串扰瞬时提高基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器响应度的方法。该方法基于对载流子耗尽型硅光功率监测器在微秒级时间范围内加热，短时间内使更多在缺陷态能级上的电子热激发到导带，增大光生载流子的数量，瞬时提高光功率监测器的响应度，并且利用DSP外围电路实时采集光功率监测器的输出电流。该方法使用CMOS工艺，将加热部分也集成在光电子芯片上，这样可以使在热电极半径70um的范围外的器件不受影响。从而实现了在不影响主要器件的工作性能下，瞬时提高了监测器响应度。在下文中，使用“硅光功率监测器”代表“基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器”。
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公开(公告)号：CN110768723A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910954076.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/2543 , H04B10/516 , H04B10/564 , G02F1/21 , G02F1/225
Abstract: 本发明公开了一种硅基调制深度可调双级联调制器及其微波光子链路高线性方法，该方法通过两个基于载流子耗尽型的硅基MZM1、MZM2和一个TROPS；TROPS级联在MZM1和MZM2之间。激光器输出的光信号经过偏振控制器，通过光纤耦合器耦合到DSMZMs，调制小信号通过50/50的EPS加载DSMZMs上，在链路接收端用光电二极管直接检测。调整TROPS的分配比γ控制MZM2的调制深度，同时调控MZM1和MZM2直流反偏电压以及偏置工作点，使两个调制器中的IMD3信号相互抑制，从而实现了基于硅基调制器的高线性微波光子链路，并从理论上详细推导分析了DSMZMs的FH和IMD3信号变化与反偏直流电压以及γ之间的关系。
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公开(公告)号：CN116207487A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310089652.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成的硅基光馈天线，所述单片集成的硅基光馈天线包括硅基片上天线、锗硅光电探测器、偏置网络和GSG pad部分。该硅基光馈天线通过大带宽和高RF饱和功率的锗硅光电探测器进行光电转化并馈入高增益和高定向性硅基片上天线发射到空间中，实现了高辐射功率和高效率传输。此外，该器件在CMOS兼容的SOI衬底以单片集成的方式构成，减小了传统混合集成的金属线键合的寄生效应，且器件结构尺寸紧凑，利于大规模集成。
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公开(公告)号：CN109727849B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811542332.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种无串扰瞬时提高基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器响应度的方法。该方法基于对载流子耗尽型硅光功率监测器在微秒级时间范围内加热，短时间内使更多在缺陷态能级上的电子热激发到导带，增大光生载流子的数量，瞬时提高光功率监测器的响应度，并且利用DSP外围电路实时采集光功率监测器的输出电流。该方法使用CMOS工艺，将加热部分也集成在光电子芯片上，这样可以使在热电极半径70um的范围外的器件不受影响。从而实现了在不影响主要器件的工作性能下，瞬时提高了监测器响应度。在下文中，使用“硅光功率监测器”代表“基于缺陷态机制的载流子耗尽型硅光功率监测器”。
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公开(公告)号：CN110768723B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910954076.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/2543 , H04B10/516 , H04B10/564 , G02F1/21 , G02F1/225
Abstract: 本发明公开了一种硅基调制深度可调双级联调制器及其微波光子链路高线性方法，该方法通过两个基于载流子耗尽型的硅基MZM1、MZM2和一个TROPS；TROPS级联在MZM1和MZM2之间。激光器输出的光信号经过偏振控制器，通过光纤耦合器耦合到DSMZMs，调制小信号通过50/50的EPS加载DSMZMs上，在链路接收端用光电二极管直接检测。调整TROPS的分配比γ控制MZM2的调制深度，同时调控MZM1和MZM2直流反偏电压以及偏置工作点，使两个调制器中的IMD3信号相互抑制，从而实现了基于硅基调制器的高线性微波光子链路，并从理论上详细推导分析了DSMZMs的FH和IMD3信号变化与反偏直流电压以及γ之间的关系。
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