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公开(公告)号：CN117293181A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311241665.7
申请日：2023-09-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及类浮空结型超级结MOSFET结构及其制造方法。该类浮空结型超级结MOSFET结构包括：第一介质层、叠层结构、侧壁区、电流扩散区、沟道区、源接触区、栅极结构和第一连通区；第一介质层具有第一掺杂类型；叠层结构延伸入第一介质层，叠层结构包括沿延伸方向依次堆叠的多个掺杂区，相邻两个掺杂区具有不同的掺杂类型，且叠层结构中最外层的掺杂区具有第二掺杂类型；侧壁区延伸入第一介质层并用于分隔介质层与叠层结构；电流扩散区、沟道区及源接触区依次堆叠于第一介质层；第一连通区贯穿源接触区、沟道区及电流扩散区。该类浮空结型超级结MOSFET结构可以得到低成本、电荷平衡窗口高的超级结器件。
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公开(公告)号：CN119153535A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411651338.3
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种非对称超级结MOSFET结构及其制造方法，属于半导体技术领域，一种超级结MOSFET结构，包括衬底及元胞结构；所述元胞结构包括：第一柱区，包括N型漂移区；第二柱区，设置在第一柱区中，包括柱区结构和设置在柱区结构上的栅极结构；第三柱区，包括侧壁P柱区，侧壁P柱区为离子注入式P柱区，侧壁P柱区与相邻的N型漂移区电荷平衡；第三柱区设置在第二柱区与第一柱区之间，第三柱区设置在第二柱区的一侧。本申请通过深沟槽离子注入的侧壁P柱区，使得侧壁P柱区与对应的N型漂移区的电荷平衡控制更为精准；同时，由于超级结的PN结位置远离刻蚀界面，降低了缺陷界面处的电场，提升了产品的可靠性，也避免了多次外延，有助于节约超级结MOSFET的制造成本。
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公开(公告)号：CN119153534A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411651336.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法，属于超结MOSFET技术领域，一种超级结沟槽MOSFET结构，包括N+衬底及元胞第一结构和元胞第二结构；其中，元胞第一结构与元胞第二结构皆呈正六边形；元胞第一结构包括第一N柱区及环绕第一N柱区的第一P柱区，第一N柱区上设置有第一源槽；元胞第二结构包括第二N柱区及环绕第二N柱区的第二P柱区，第二N柱区上设置有第二源槽；若干元胞第二结构围绕元胞第一结构；元胞第二结构还包括栅槽，栅槽与第一源槽之间形成有第一沟道，栅槽与第二源槽之间形成有第二沟道，第一沟道与第二沟道的长度不同。本申请通过设置正六边形密铺的元胞结构，且具有非对称的双沟道，不仅提高了沟道密度，也提供了良好的栅氧保护作用。
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公开(公告)号：CN116581118A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310357192.0
申请日：2023-04-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，解决了现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、RESURF掺杂区、RESURF沟槽和宽槽终端，能够缓解版图边缘部分的曲率效应，降低电场尖峰，提高器件整体阻断电压，通过增强型RESURF结构以及宽槽终端结构，宽槽终端的形状根据把不同的版图结构而确定，紧密贴合包围整个有源区，有效提高了器件阻断电压，降低了漏电流，增强型终端结构介于两电极之间，形状分布根据版图设计类别确定。
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公开(公告)号：CN114649406A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210537454.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明涉及多级超级结结构及其自对准制备方法。多级超级结结构包括外延层和多级超级结柱区，多级超级结柱区包括多个单级柱区，多个单级柱区对应多个单级沟槽，多级超级结结构的自对准制备方法包括：生长表面刻蚀掩膜和多次形成沟槽侧壁保护层，并使用所述表面刻蚀掩膜和所述沟槽侧壁保护层进行多次自对准刻蚀，形成多级沟槽。本发明提出的多级超级结结构及其自对准制备方法可以实现对超级结沟槽侧壁倾角的调控，通过形成沟槽侧壁保护层然后多级刻蚀的方式，可以有效减小深沟槽刻蚀时由于侧蚀效应带来的影响，使得超级结深沟槽保持相对较高的垂直度，提升超级结器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242691A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111534725.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/544 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，包括在对准标记区域形成一定厚度的对准标记缺陷层、在外延回填及抛光工艺后通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记，避免了外延回填及抛光工艺对对准标记造成的损伤，解决了基于外延回填工艺的超级结器件多层套刻的对准问题。相较于引入保护物质的对准标记保护方式，该方法有着不污染外延生长腔室，外延回填后表面平坦度不受影响的优势。
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公开(公告)号：CN119153535B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411651338.3
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种非对称超级结MOSFET结构及其制造方法，属于半导体技术领域，一种超级结MOSFET结构，包括衬底及元胞结构；所述元胞结构包括：第一柱区，包括N型漂移区；第二柱区，设置在第一柱区中，包括柱区结构和设置在柱区结构上的栅极结构；第三柱区，包括侧壁P柱区，侧壁P柱区为离子注入式P柱区，侧壁P柱区与相邻的N型漂移区电荷平衡；第三柱区设置在第二柱区与第一柱区之间，第三柱区设置在第二柱区的一侧。本申请通过深沟槽离子注入的侧壁P柱区，使得侧壁P柱区与对应的N型漂移区的电荷平衡控制更为精准；同时，由于超级结的PN结位置远离刻蚀界面，降低了缺陷界面处的电场，提升了产品的可靠性，也避免了多次外延，有助于节约超级结MOSFET的制造成本。
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公开(公告)号：CN116092917A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211561442.4
申请日：2022-12-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本公开涉及倾斜超级结结构及其制造方法、半导体器件。该方法包括：形成多个掺杂层，多个掺杂层沿第一方向依次堆叠，多个掺杂层均具有第一掺杂类型，多个掺杂层的掺杂浓度依次增大；形成延伸入多个掺杂层的超级结沟槽并基于多个掺杂层得到第一柱区，其中，超级结沟槽的侧壁相对于第一方向倾斜，第一柱区包括沿第一方向依次堆叠的多个第一掺杂部；以及形成填充超级结沟槽的第二柱区，第二柱区具有第二掺杂类型。该方法可以实现性能有保障的倾斜超级结结构。
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公开(公告)号：CN115985936A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211524361.7
申请日：2022-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 本公开涉及超级结结构及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成延伸入外延层的沟槽，外延层具有第一掺杂特性；对沟槽进行退火工艺得到退火沟槽，退火沟槽的底角包括倾斜过渡段；以及形成柱区，其中，柱区填充于退火沟槽，柱区具有第二掺杂特性。该方法可以实现p柱与n柱界面具有变化以调整电容特性。
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公开(公告)号：CN115799301A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211362520.8
申请日：2022-11-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L23/544
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种基于外延回填工艺的对准标记形成方法及外延回填工艺。基于外延回填工艺的对准标记形成方法包括形成位于第一外延层的标记区的至少一对对准标记刻蚀掩模，第一外延层包括位于功能区的第一沟槽；形成填充第一沟槽并覆盖第一外延层的第二外延层，其中，第二外延层的背离第一外延层的表面与对准标记刻蚀掩模的背离第一外延层的表面齐平；通过对准标记刻蚀掩模对第二外延层和第一外延层进行刻蚀，形成第二沟槽及形成第三沟槽，其中，第二沟槽位于一对对准标记刻蚀掩模之间，第三沟槽的槽底暴露出外延部。本申请能够避免外延回填及抛光工艺对对准标记的损坏，保证后续工艺的套刻精度。
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