公开(公告)号：CN113900280A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202010575864.1

申请日：2020-06-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 曹伟杰 ,  储涛

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/225

Abstract: 本发明公开了一种偏振无关的光开关，涉及半导体领域，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，铌酸锂波导层集成在下包层上方，氮化硅层在铌酸锂波导层上方，铌酸锂波导层与氮化硅层中间填充上包层；沿着光传播方向依次在氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分；在铌酸锂波导层刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导；在铌酸锂波导层的偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据铌酸锂波导层的调制特征调整金属电极的位置。该光开关利用氮化硅材料，实现了基本无源器件的偏振无关，同时利用铌酸锂材料的电光特性，实现了低损耗高速的调制特性。

公开(公告)号：CN113900280B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202010575864.1

申请日：2020-06-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 曹伟杰 ,  储涛

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/225

Abstract: 本发明公开了一种偏振无关的光开关，涉及半导体领域，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，铌酸锂波导层集成在下包层上方，氮化硅层在铌酸锂波导层上方，铌酸锂波导层与氮化硅层中间填充上包层；沿着光传播方向依次在氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分；在铌酸锂波导层刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导；在铌酸锂波导层的偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据铌酸锂波导层的调制特征调整金属电极的位置。该光开关利用氮化硅材料，实现了基本无源器件的偏振无关，同时利用铌酸锂材料的电光特性，实现了低损耗高速的调制特性。

公开(公告)号：CN113900279B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202010573470.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 唐伟杰 ,  曹伟杰 ,  储涛

IPC: G02F1/017

Abstract: 本发明公开了一种硅基电光调制器掺杂结构，涉及半导体领域，包括：第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域；第一掺杂区域与第二掺杂区域掺杂类型相同，第二掺杂区域与第三掺杂区域掺杂类型相反，第三掺杂区域与第四掺杂区域掺杂类型相同；第二掺杂区域与第三掺杂区域的接触面交错形成周期性结构，通过微波信号的幅度调整周期性结构。由此，提高调制器的调制效率。

公开(公告)号：CN113900279A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202010573470.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 唐伟杰 ,  曹伟杰 ,  储涛

IPC: G02F1/017

Abstract: 本发明公开了一种硅基电光调制器掺杂结构，涉及半导体领域，包括：第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域；第一掺杂区域与第二掺杂区域掺杂类型相同，第二掺杂区域与第三掺杂区域掺杂类型相反，第三掺杂区域与第四掺杂区域掺杂类型相同；第二掺杂区域与第三掺杂区域的接触面交错形成周期性结构，通过微波信号的幅度调整周期性结构。由此，提高调制器的调制效率。