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公开(公告)号：CN116500722B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
Abstract: 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116088202A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310013601.5
申请日：2023-01-05
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种低功耗热光MZI结构器件的调控方法，所述调控方法包括：将热光MZI结构器件的两个相移臂分别设置为相位偏置臂、工作臂；扫描工作臂的电压，查找Cross端口第一个电压极大值点或Bar端口第一个电压极小值点的位置，并判断静态特性曲线的偏移方向；根据Cross端口第一个电压极大值点或Bar端口第一个电压极小值点位于静态特性曲线上的位置，选取热光MZI结构器件的工作点。本发明方法可以有效降低工艺误差、外部温度变化等因素对工作点选取的影响，进而有效降低器件的功耗。使热光MZI结构器件更加适用于构建大规模网络器件。
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公开(公告)号：CN116500722A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
Abstract: 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN113238320B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110520191.4
申请日：2021-05-13
Abstract: 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法，通过改变传统单环微环中的环形结构，将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算，进而得到插入器件的损耗，这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积，提高测量精度，对于低损耗波导特别适用。
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公开(公告)号：CN113238320A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110520191.4
申请日：2021-05-13
Abstract: 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法，通过改变传统单环微环中的环形结构，将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算，进而得到插入器件的损耗，这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积，提高测量精度，对于低损耗波导特别适用。
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公开(公告)号：CN110752177A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910963693.7
申请日：2019-10-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种反射式倒装芯片键合机及芯片键合方法，能够提升对准以及键合精度，降低了芯片工艺的复杂度。该反射式倒装芯片键合机，包括：用于安装上芯片的上吸附装置；用于安装下芯片的下吸附装置；设置在下吸附装置上的通孔；红外发光二极管；沿红外发光二极管的红外光光路方向设置的分束器；与分束器的出射光连接并正对通孔设置的物镜；与分束器反射光对接的工业相机；与工业相机连接的显示器。本发明观测装置结构简单，无需在两个芯片间插入其他复杂的光学系统来进行观测，大大降低了制造复杂度和成本，并且，大大降低了误差，提高了键合精度。
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