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公开(公告)号：CN115268115B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210792830.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种大带宽、低损耗、高速切换、偏振不敏感电光开关，包括：用于接受光纤、激光器或其他光电子器件包括TE偏振和TM偏振分量或其中一种分量的光的输入波导；与所述输入波导连接的输入端功率分束器；与所述功率分束器连接的调制区单元；与所述调制区单元的输出端连接的输出端功率合束器；以及用于施加电压控制相位差的电场；所述的调制区单元包括：TM波导支路(即调制区波导支路)，所述的TM波导支路设置在所述电场上；与所述TM波导支路并联的TE波导支路。本发明基于特殊的波导结构设计实现偏振无关波导、功率合束器、功率分束器。利用了调制效率偏振相关的特点，将两个偏振态的光引入不同的调制路径，实现不同偏振态的调制区长度不同。
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公开(公告)号：CN119620387A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411828851.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振不敏感波分复用解复用器的设计方法，包括：选择波分复用解复用器的芯层厚度，得到偏振模式TE和偏振模式TM下有效折射率随波导宽度的变化规律；通过光栅方程求解得到波导宽度与偏振模式TE的衍射级数以及偏振模式TM的衍射级数，使偏振模式TE与偏振模式TM在同一中心波长下均满足光栅方程；如果检验偏振模式TE与偏振模式TM下的波长间隔比值在0.98～1，那么将波导宽度与偏振模式TE的衍射级数以及偏振模式TM的衍射级数作为偏振不敏感波分复用解复用器的设计参数，完成设计。本发明使得波分复用器能工作同时工作在TE偏振与TM偏振下，能够解决波分复用器件的偏振敏感问题。
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公开(公告)号：CN115373070B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210871418.4
申请日：2022-07-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种超大消光比的硅基电光开关单元设计方法，采用硅基电光开关单元，包括：设置开关单元所处材料平台，设置在所述材料平台上的M×N马赫‑曾德干涉型电光开关单元，设置电光开关单元中的若干移相器，每个移相器有一个以上的PIN结相移臂；确定硅基电光开关单元的状态切换时移相器间的相位差，同时满足移相器损耗相等，计算获得每个移相器上的每个PIN结相移臂的长度。本设计方法不显著增加开关单元尺寸，设计灵活，使移相器既满足硅基光开关单元状态切换所需的相位差，又能保持损耗的一致，从而实现超大消光比和极低的串扰。
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公开(公告)号：CN118773747A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410846552.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种在铁电材料中激发具有多铁性的斯格明子的方法，包括如下步骤：1)：对铌酸锂进行高温磁化操作，高温磁化操作后撤场降温，得到处理后的铁电单晶；2)：对步骤1)处理后的铁电单晶进行退火处理，之后降温，得到含有多铁斯格明子的铌酸锂。本发明方法通过高温磁涨落在铁电环境中激发斯格明子态，并依靠铁电性实现磁拓扑结构的稳定。本发明的生成方法形成了室温、零场下稳定存在的高密度斯格明子，且该斯格明子可以同时具备磁性与铁电性。
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公开(公告)号：CN113900280B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010575864.1
申请日：2020-06-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振无关的光开关，涉及半导体领域，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，铌酸锂波导层集成在下包层上方，氮化硅层在铌酸锂波导层上方，铌酸锂波导层与氮化硅层中间填充上包层；沿着光传播方向依次在氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分；在铌酸锂波导层刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导；在铌酸锂波导层的偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据铌酸锂波导层的调制特征调整金属电极的位置。该光开关利用氮化硅材料，实现了基本无源器件的偏振无关，同时利用铌酸锂材料的电光特性，实现了低损耗高速的调制特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115173954B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210842322.5
申请日：2022-07-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/556 , H04B10/61 , H04B10/67 , G02B6/293
Abstract: 本发明公开了一种差分平行微环调制方法，包括：将光信号分成第一光路和第二光路的第一分束器；与所述第一光路连接的I路差分微环单元；与所述第二光路连接的Q路差分微环单元；与所述第一差分微环单元和第二差分微环单元连接的第一合束器。本发明采用差分驱动的方式，在调制信号状态切换的过程中，尽管合成信号的幅度发生改变，但相位始终保持不变，因此可以避免啁啾。本发明可以任意控制调制信号的振幅大小，一方面仅用四个微环调制器便可以实现任意阶数的QAM调制而不需要任何功率衰减器来控制信号振幅，另一方面也可以将工作点选在传输损耗较低的点，以此来减小系统整体的插入损耗。
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公开(公告)号：CN116500722A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
Abstract: 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN116381967A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310295409.X
申请日：2023-03-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种极化反转的铌酸锂差分调制器及芯片，具有抗干扰能力强、结构尺寸小、调制效率高、半波电压低等优点。极化反转的铌酸锂差分调制器，包括：输入波导、功率分束器、调制区单元、第一调制臂、第二调制臂、极化反转直波导、未极化反转的直波导、功率合束器、输出波导、顶层信号电极、底层信号电极、底层调制区电极、金属通孔、金属焊盘、顶层地电极、包层、Z切铌酸锂薄膜、埋氧层、衬底。本发明基于特殊的波导结构设计以及电极设计实现差分驱动。利用了极化反转的铌酸锂波导，实现调制器两臂晶轴相反。在对两臂同时进行调制时，实现两臂折射率变化不同，在差分驱动的同时形成推挽结构，实现了两倍于传统结构的调制效率。
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公开(公告)号：CN115378510A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210822617.6
申请日：2022-07-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/50
Abstract: 本公开提供一种硅基调制器产生高线性度信号的方法及系统，基于电信号发生模块产生的双音信号，将第一双音信号不经衰减与第一直流偏置电压相加通过偏置器施加在硅基调制器的相移臂上，将第二双音信号经过衰减后与第二直流偏置电压相加通过偏置器施加在硅基调制器的相移臂上；基于硅基调制器调制产生光信号，将所述光信号传输至信号接收模块，利用所述信号接收模块对光信号线性度进行监测，并确定所述光信号是否满足预设线性度；若不满足，则基于所述信号接收模块发送调制指令至所述电信号发生模块，调节直流偏置电压，和/或，调节第二双音信号的衰减率；直至所述光信号线性度满足所述预设线性度。能提升硅基调制器调制产生的光信号的线性度。
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公开(公告)号：CN113238320B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110520191.4
申请日：2021-05-13
Abstract: 本发明公开了一种基于微环谐振器的器件的插入损耗的测量方法，通过改变传统单环微环中的环形结构，将连接待测器件的微环谐振器得到的光谱与没有连接待测器件的微环谐振器得到的光谱进行比较和计算，进而得到插入器件的损耗，这种方法可以减小器件损耗测试所占用的芯片面积，提高测量精度，对于低损耗波导特别适用。
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