一种色温可调积分球LED光源

    公开(公告)号:CN109405963B

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN201811363060.4

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种色温可调积分球LED光源,包括积分球、光源、凸面挡板、支撑件和调节组件,所述积分球包括固定半球和活动半球,所述固定半球上设有入光口;所述活动半球上设有出光口,其与固定半球均为空腔结构,二者相连后构成空腔式的积分球;所述光源设于所述固定半球上的入光口处;所述凸面挡板设于所述积分球内,且位于所述光源的出射光路上;所述支撑件的一端与所述凸面挡板相连;所述调节组件与所述固定半球相连,且与所述支撑件的另一端相连,用于调节所述凸面挡板与光源的相对位置。本发明积分球内部增添了凸面挡板,使光源输出的光在积分球内部充分混合,使得输出光为具备良好均一性的色温可调光。

    等离激元型二维材料光电阻变器件、阵列及感内彩色图像加密方法

    公开(公告)号:CN118571962A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410615532.X

    申请日:2024-05-17

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 赵昱达 杨权 徐伟

    Abstract: 本发明公开了一种等离激元型二维材料光电阻变器件、阵列及感内彩色图像加密方法。本发明将贵金属的表面等离激元效应引入光电阻变器件,构筑等离激元型光电阻变器件,研究基于表面等离激元型光电阻变器件阵列的感内彩色图像加密方法。在通过器件非易失存储特性实现彩色图像感知和存储的情况下,通过阻变器件高阻态阻值的本征随机特性收集可重构的物理不可克隆函数密钥,从而实现高性能的感内彩色图像硬件层面原位加密,不仅可以减少数据传输,提高效率,减小功耗,而且可以增加密钥随机性,提高安全性。

    一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用

    公开(公告)号:CN114843403A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210492569.9

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用,该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键,由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布,实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂,解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性,可以兼容目前的硅基加工工艺,可应用于大规模集成电路加工。

    基于多镜组的光学特性检测的辅助图像拼接系统和方法

    公开(公告)号:CN110277043A

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201910583784.8

    申请日:2019-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于多镜组的光学特性检测的辅助图像拼接系统和方法,该系统包括用于检测显示屏的固定平台、光学检测器、固定夹具和辅助图形标识,所述的光学检测器设置在固定平台的上方,所述的固定夹具安装在固定平台上对应于显示屏四周边中点的位置,所述的辅助图形标识设置在所述固定夹具的表面。该系统通过多个CCD镜组、特定辅助图形识别的图像拼接方式来替代单颗高分辨率的CCD相机模式,实现降低设备成本,同时在显示屏光学检测中达到相同效果,还可缩短图像处理的运算时间。

    一种单原子层修饰的晶硅纳米线气敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119804593A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411934529.0

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种单原子层修饰的晶硅纳米线气敏传感器,包括栅电极、源极和漏极,源极和漏极中间设有单原子金属修饰的晶硅纳米线作为沟道层,沟道层为M/SiNWs,M为金属Pt、Pd、Au、Rh或Ru。本发明中的单原子层修饰的晶硅纳米线气敏传感器采用金属单原子层修饰策略得到M/SiNWs,待检测气体与表面的金属M接触后发生氧化还原反应,进而引起晶硅纳米线电阻的变化,通过检测电阻值的变化,判断待检测气体的种类和浓度。本发明还公开了上述气敏传感器的制备方法,使用IPSLS生长模式,在衬底上制备晶硅纳米线,并采用等离子体处理法或湿化学处理法在晶硅纳米线表面生长单原子层,通过对单原子修饰工艺的优化,提高传感器气敏性能,进一步用于环境监测、食品健康、工业安全等领域。

    一种四氟化硅还原法工艺
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119409198A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411869368.1

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种四氟化硅还原法工艺以及被线型聚合物树脂包裹以隔绝外界空气的氢化铝钠在四氟化硅还原法工艺中的应用。四氟化硅还原法工艺包括:配制氢化铝钠溶液:量取所需量的被线型聚合物树脂包裹以隔绝外界空气的氢化铝钠,将其溶解于有机溶剂中,得到氢化铝钠溶液;四氟化硅与氢化铝钠溶液反应。本发明可保障氢化铝钠投料安全性,避免氢化铝钠与空气接触而失效,可按设计量准确量取所需的氢化铝钠,保证四氟化硅还原法工艺反应原料投料比的精确性。

    一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用

    公开(公告)号:CN114843403B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202210492569.9

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用,该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键,由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布,实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂,解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性,可以兼容目前的硅基加工工艺,可应用于大规模集成电路加工。

    等离激元型二维材料光电阻变器件、阵列及感内彩色图像加密方法

    公开(公告)号:CN118571962B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202410615532.X

    申请日:2024-05-17

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 赵昱达 杨权 徐伟

    Abstract: 本发明公开了一种等离激元型二维材料光电阻变器件、阵列及感内彩色图像加密方法。本发明将贵金属的表面等离激元效应引入光电阻变器件,构筑等离激元型光电阻变器件,研究基于表面等离激元型光电阻变器件阵列的感内彩色图像加密方法。在通过器件非易失存储特性实现彩色图像感知和存储的情况下,通过阻变器件高阻态阻值的本征随机特性收集可重构的物理不可克隆函数密钥,从而实现高性能的感内彩色图像硬件层面原位加密,不仅可以减少数据传输,提高效率,减小功耗,而且可以增加密钥随机性,提高安全性。

    高光谱图像获取中消除光场非均匀分布的校正系统及方法

    公开(公告)号:CN117405605B

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311723183.5

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 高光谱图像获取中消除光场非均匀分布的校正系统及方法,涉及高光谱图像处理技术领域,有效消除由于卤素灯光源照射下光场非均匀分布对高光谱图像信息采集所造成的影响。校正方法包括(1)获取卤素灯光源照射下两不同反射率的标准白板所对应的高光谱图像A;(2)获取同一光源照射下的茶叶样品对应的高光谱图像B;3)基于高光谱图像A得到光场的空间分布特性;4)对高光谱图像A和B中的像素点进行空间匹配;(5)对高光谱图像B中同一位置样品的像素点进行光场校正;(6)对样品光场校正后的结果进行反射率校正。本发明可以有效消除由于卤素灯光源照射下光场非均匀分布对高光谱图像所造

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