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公开(公告)号：CN119815949A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510015535.4
申请日：2025-01-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H10F39/12
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体异质结构的彩色图像传感器及其在图像卷积处理的应用。该器件包含沉积在衬底上的双极型二维半导体和N型二维半导体，二者形成水平异质结结构。通过背栅电压的调节，控制异质结的能带排布，实现可以连续变化的光谱响应函数，使得无需滤色片即可获得多波段下图像信息。同时，通过源漏电压调控异质结的光电流响应，进而赋予输出信号不同的权重，将与卷积核尺寸相同的若干异质结并联起来，将读取到的电流之和再映射为灰度值，便可得到该波段下卷积后的图像。通过对不同波段下分别应用卷积操作，就可以完成图像卷积处理。该器件在集成图像采集与卷积计算方面表现出色，有效减少了计算资源开销，显著提高了图像处理效率。
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公开(公告)号：CN114843403B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210492569.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用，该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键，由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布，实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂，解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性，可以兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118571962B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410615532.X
申请日：2024-05-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , G06T1/00 , G06F21/60 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种等离激元型二维材料光电阻变器件、阵列及感内彩色图像加密方法。本发明将贵金属的表面等离激元效应引入光电阻变器件，构筑等离激元型光电阻变器件，研究基于表面等离激元型光电阻变器件阵列的感内彩色图像加密方法。在通过器件非易失存储特性实现彩色图像感知和存储的情况下，通过阻变器件高阻态阻值的本征随机特性收集可重构的物理不可克隆函数密钥，从而实现高性能的感内彩色图像硬件层面原位加密，不仅可以减少数据传输，提高效率，减小功耗，而且可以增加密钥随机性，提高安全性。
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公开(公告)号：CN118016590A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410075239.9
申请日：2024-01-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/762 , H01L29/10 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种远程掺杂二维材料的方法及应用，该方法在二维材料表面先利用原子层沉积法制备高介电常数的中间介质，再利用磁控溅射法制备多缺陷密度的顶层介质。顶层介质中的带正电的电离杂质透过中间介质引起二维材料的电荷重新分布，从而实现远程静电调控二维材料的电子浓度。该方法将掺杂源与二维材料进行空间上的隔离，解决二维材料在掺杂过程中受到带电杂质引起的散射问题。利用该方法可以在提高二维材料场效应晶体管电子浓度的同时，不引起迁移率的退化，并且兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。
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公开(公告)号：CN116367701A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310074765.9
申请日：2023-02-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼本征缺陷调控方法及其在阻变存储器上的应用，该方法在氮化硼晶体生长过程中通过控制生长源中碳粉的含量，成功调控硼空位缺陷密度，之后将带缺陷的氮化硼薄膜作为阻变层、惰性金属作为顶电极和底电极，构筑金属/阻变层/金属结构的阻变存储器。硼空位缺陷可以在电压的激励下进行重新排布，改变阻变存储器的电阻态。通过控制碳粉质量占比，能够使阻变存储器表现出较优的输运性能，包括低的开启电压和关断电压，大的阻变开关比，以及高的阻变切换稳定性，可以应用于阻变存储器阵列加工和应用中。
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公开(公告)号：CN118571962A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410615532.X
申请日：2024-05-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0224 , G06T1/00 , G06F21/60 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种等离激元型二维材料光电阻变器件、阵列及感内彩色图像加密方法。本发明将贵金属的表面等离激元效应引入光电阻变器件，构筑等离激元型光电阻变器件，研究基于表面等离激元型光电阻变器件阵列的感内彩色图像加密方法。在通过器件非易失存储特性实现彩色图像感知和存储的情况下，通过阻变器件高阻态阻值的本征随机特性收集可重构的物理不可克隆函数密钥，从而实现高性能的感内彩色图像硬件层面原位加密，不仅可以减少数据传输，提高效率，减小功耗，而且可以增加密钥随机性，提高安全性。
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公开(公告)号：CN114843403A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210492569.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种通过点击化学反应调控二维材料掺杂特性的方法及应用，该方法将马来酰亚胺通过点击化学反应吸附到二维过渡金属硫化物表面形成化学键，由于化学成键过程的电荷转移导致电荷重新分布，实现二维过渡金属硫化物掺杂特性的调控。利用该方法对二维材料场效应晶体管的源区和漏区进行电荷掺杂，解决二维材料场效应晶体管接触电阻高和费米钉扎的问题。二维材料在掺杂后具有较高的热稳定性和化学稳定性，可以兼容目前的硅基加工工艺，可应用于大规模集成电路加工。
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