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公开(公告)号:CN119804593A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411934529.0
申请日:2024-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01N27/407 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种单原子层修饰的晶硅纳米线气敏传感器,包括栅电极、源极和漏极,源极和漏极中间设有单原子金属修饰的晶硅纳米线作为沟道层,沟道层为M/SiNWs,M为金属Pt、Pd、Au、Rh或Ru。本发明中的单原子层修饰的晶硅纳米线气敏传感器采用金属单原子层修饰策略得到M/SiNWs,待检测气体与表面的金属M接触后发生氧化还原反应,进而引起晶硅纳米线电阻的变化,通过检测电阻值的变化,判断待检测气体的种类和浓度。本发明还公开了上述气敏传感器的制备方法,使用IPSLS生长模式,在衬底上制备晶硅纳米线,并采用等离子体处理法或湿化学处理法在晶硅纳米线表面生长单原子层,通过对单原子修饰工艺的优化,提高传感器气敏性能,进一步用于环境监测、食品健康、工业安全等领域。
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公开(公告)号:CN119409198A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202411869368.1
申请日:2024-12-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B33/107 , C01B6/24
Abstract: 本发明公开了一种四氟化硅还原法工艺以及被线型聚合物树脂包裹以隔绝外界空气的氢化铝钠在四氟化硅还原法工艺中的应用。四氟化硅还原法工艺包括:配制氢化铝钠溶液:量取所需量的被线型聚合物树脂包裹以隔绝外界空气的氢化铝钠,将其溶解于有机溶剂中,得到氢化铝钠溶液;四氟化硅与氢化铝钠溶液反应。本发明可保障氢化铝钠投料安全性,避免氢化铝钠与空气接触而失效,可按设计量准确量取所需的氢化铝钠,保证四氟化硅还原法工艺反应原料投料比的精确性。
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