一种基于PHEMT工艺的MMIC等效管芯模型

    公开(公告)号:CN105740580A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610135225.7

    申请日:2016-03-10

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G06F17/5009 G06F17/5036 G06F17/5081

    Abstract: 本发明公开了一种基于PHEMT工艺的MMIC的等效管芯模型。该等效管芯模型包括栅极、源极、漏极、热源、连接条a、连接条b。其中栅极、源极、漏极的尺寸与实际MMIC芯片中晶体管的尺寸一致。热源放置在栅极的下面,其长度和宽度与栅极一致,厚度为0.1微米,其热耗大小根据芯片中每级管芯栅宽平均分配得到。本发明实现了在通用的热分析软件中准确模拟PHEMT 工艺的MMIC管芯热分布,为整个芯片的电路设计以及可靠性设计提供了有效快捷的方法。

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