-
公开(公告)号：CN101807598B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010125974.4
申请日：2010-03-17
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/87 , H01L29/0692
Abstract: 本发明公开了一种PNPNP型双向可控硅，包括P型衬底，所述的P型衬底内设有N型埋层，N型埋层上注有P阱，P阱侧面和P型衬底之间注有与P阱结深相同的环形的N阱，P阱内注有第一N型漂移区和第二N型漂移区，第一N型漂移区内设有第一P+注入区和第一N+注入区，第二N型漂移区内设有第二P+注入区和第二N+注入区，其中第一P+注入区和第二P+注入区位于内侧，P型衬底、N阱和P阱上均覆有氧化隔离层。本发明PNPNP型双向SCR结构实现工艺与业界常用的BCD工艺兼容，由于该PNPNP型双向SCR结构具有较高并且对称的正反向击穿电压，因此更适用于一些混合电压接口电路或不同电源域间的ESD防护应用。
-
公开(公告)号：CN102148241A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010616239.3
申请日：2010-12-30
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/87
Abstract: 本发明公开了一种耦合电容触发可控硅器件，由触发信号产生电路和带触发端的可控硅构成，利用耦合电容电路输出触发信号提供可控硅足够的开启电流，实现ESD脉冲与电路正常上电信号的区别；通过在电容耦合电路增加识别ESD脉冲的PMOS开关，实现只有在ESD的情况下将电容耦合电路接入电源线，从而达到降低电容耦合电路静态漏电的目的。相比传统电容耦合触发SCR结构依靠金属层电容作为耦合电容，本发明中采用MOS电容管更节省面积，并且解决了MOS电容管在直流偏压下的漏电流问题。
-
公开(公告)号：CN101771040B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010040054.2
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二极管串辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用二极管串来降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
-
公开(公告)号：CN101834181B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010130833.1
申请日：2010-03-23
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种NMOS管辅助触发的可控硅电路，用于核心电路的ESD防护，包括内嵌NMOS管的可控硅以及由NMOS管和PMOS管组成的反相器；反相器的输入端接核心电路的VDD电源线。在ESD情况下，由于本发明电路内嵌的NMOS能够导通，可以提供大的电流，从而触发可控硅，因此内嵌的NMOS管的尺寸可以做的比较小。这样该防护电路不仅能够在较低的电压下触发泄放静电，也能在电路正常工作时具有小的漏电。
-
公开(公告)号：CN102034857A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010522594.4
申请日：2010-10-28
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L29/747
Abstract: 本发明公开了一种PMOS场效应晶体管辅助触发的双向可控硅，包括P型衬底，P型衬底上设有深N阱，深N阱内设有N阱以及位于N阱两侧的第一P阱和第二P阱；第一P阱上设有通过第一浅壕沟隔离的第一N+注入区和第一P+注入区，第一P+注入区位于内侧且横跨第一P阱和N阱的交界处；第二P阱上设有通过第二浅壕沟隔离的第二N+注入区和第二P+注入区，第二注入P+注入区位于内侧且横跨第二P阱和N阱的交界处；第一P+注入区和第二P+注入区之间的N阱表面覆有层叠的栅氧和多晶硅栅。本发明可控硅利用PMOS管辅助触发，开启电压小，结构简单，占用版图面积小，能提供双向电流路径，鲁棒性好，开启速度快。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101777555A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010040058.0
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。采用NMOS场效应晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
-
公开(公告)号：CN101771041A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010040056.1
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种PMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用PMOS场效应晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
-
公开(公告)号：CN101771040A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010040054.2
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二极管串辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用二极管串来降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
-
公开(公告)号：CN101752372A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010040055.7
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/082 , H01L23/60
Abstract: 本发明公开了一种NPN双极型晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。本发明采用NPN双极型晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。
-
公开(公告)号：CN102142440B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010615666.X
申请日：2010-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L29/36
Abstract: 本发明公开了一种可控硅器件，包括P型衬底，在P型衬底上设置连接阳极的第一N阱与电位浮空的第二N阱，在所述的两个N阱与P型衬底之间跨接了一个第三N+注入区。利用第一N阱与P型衬底之间跨接第三N+注入区，实现了触发电压值降低；通过P型衬底中添加电位浮空的第二N阱，实现了维持电压值的增加，从而达到一个低触发、高维持电压的目的。而且，本发明可控硅器件结构简单，单位面积版图效率高、电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.029 seconds)
