公开(公告)号：CN119725162A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411823083.4

申请日：2024-12-10

Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 张言彩

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明实施例提供一种刻蚀设备及刻蚀方法，刻蚀设备包括：加工腔室，所述加工腔室内设置有承载晶圆的承载部；设置于所述加工腔室内，与所述承载部连接，带动所述承载部旋转运动的旋转组件；其中，带动所述承载部旋转运动的方向垂直于所述承载部的表面。采用上述技术方案，能够提高晶圆刻蚀均一性，进而提高晶圆加工质量。

公开(公告)号：CN119208344B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411689039.9

申请日：2024-11-25

Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 张言彩

IPC: H10F39/12

Abstract: 本申请涉及半导体工艺技术领域，公开了一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件，其中，所述方法包括在二氧化硅层的表面刻蚀出与光电子吸收带相匹配的铝带，并增加二氧化硅层的厚度，以使得铝带包裹于增加厚度后的二氧化硅层中；依次刻蚀增加厚度后的二氧化硅层、金属薄膜层以及硅衬底，以在半导体组件中形成直通金属布线层的沟槽；刻蚀沟槽的底部和增加厚度后的二氧化硅层的指定位置，以在沟槽的底部形成连接铜膜的开孔，以及在指定位置处形成接地通孔；针对开孔和接地通孔刻蚀铝膜，生成与铜膜相接触的金属垫片和与接地通孔相匹配的接地连线。本申请提供的技术方案，能够简化半导体器件背照式刻蚀的工艺流程，降低制备时间和生产成本。

公开(公告)号：CN119208344A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411689039.9

申请日：2024-11-25

Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 张言彩

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请涉及半导体工艺技术领域，公开了一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件，其中，所述方法包括在二氧化硅层的表面刻蚀出与光电子吸收带相匹配的铝带，并增加二氧化硅层的厚度，以使得铝带包裹于增加厚度后的二氧化硅层中；依次刻蚀增加厚度后的二氧化硅层、金属薄膜层以及硅衬底，以在半导体组件中形成直通金属布线层的沟槽；刻蚀沟槽的底部和增加厚度后的二氧化硅层的指定位置，以在沟槽的底部形成连接铜膜的开孔，以及在指定位置处形成接地通孔；针对开孔和接地通孔刻蚀铝膜，生成与铜膜相接触的金属垫片和与接地通孔相匹配的接地连线。本申请提供的技术方案，能够简化半导体器件背照式刻蚀的工艺流程，降低制备时间和生产成本。

公开(公告)号：CN119784691A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411822577.0

申请日：2024-12-11

Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 马荣刚 ,  史晓明 ,  张言彩 ,  杨雷 ,  沈旭东

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/90

Abstract: 一种晶圆表面质量检测方法和系统、设备、存储介质及计算机程序产品，方法包括：获取晶圆表面的中间区域的切割道的第一图像、以及边缘区域的切割道的第二图像；对比第一图像和第二图像中切割道的颜色差异；基于切割道的颜色差异，判断晶圆表面的表面质量水平。本发明有利于提高产品良率。

公开(公告)号：CN119698095A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411874843.4

申请日：2024-12-18

Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 张言彩

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：提供基底，所述基底中形成有互连层结构和隔离结构，所述基底暴露所述隔离结构的顶部，所述基底上形成有第一介质层；在所述基底和第一介质层中形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露所述互连层结构的部分顶部；在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成焊垫，以及在所述隔离结构顶部的第一介质层上形成金属栅格。本发明实施例在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成焊垫，以及在所述隔离结构顶部的第一介质层上形成金属栅格有利于减少形成半导体结构的步骤，相应有利于提高形成半导体结构的工艺效率，从而有利于缩短半导体结构的生产周期时间；而且，还有利用降低半导体结构的工艺成本。

公开(公告)号：CN119626904A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202311785319.5

申请日：2023-12-22

Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 史晓明 ,  张言彩 ,  汤帅华

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成介质层和导电层；在所述导电层上形成图形化的目标掩膜层，所述目标掩膜层的边缘至少暴露部分所述导电层的边缘；基于所述目标掩膜层，去除所述目标掩膜层暴露所述导电层的区域；在所述衬底形成有所述导电层一侧形成钝化层。本申请实施例所提供的半导体结构的形成方法所形成的半导体结构提高了器件的良率。