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公开(公告)号：CN110395768A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201811256131.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于微电子新材料技术领域，具体涉及一种柔性自极化铁酸铋基薄膜的制备方法。该方法以耐高温的柔性云母作为衬底材料，金属薄膜或氧化物薄膜作为底电极材料，对底电极进行预处理后生长铁酸铋基薄膜。本发明首次在柔性衬底上直接高温生长具有自极化效应的铁酸铋基薄膜，其化学组成为Bi(Fe1-x-yMnxTiy)O3，其中0＜x≤0.05，0＜y≤0.05。本发明工艺简单有效，所制备的铁酸铋基薄膜耐弯折、电极化特性优越、电荷保持力强、抗疲劳性能好，且无需人工极化就表现出良好的压电性能，在柔性铁电存储、柔性压电传感等技术领域中具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104844197B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510231730.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1‑yXyO3‑δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。
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公开(公告)号：CN111525021B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010320707.6
申请日：2020-04-22
Applicant: 济南大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/855 , H10N10/01 , C23C28/00 , C23C18/12 , C23C14/18 , C23C14/35 , B05D1/00 , B05D3/02 , B05D7/24 , C01G29/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112537955A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011504782.4
申请日：2020-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88 , B06B1/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性钪酸铋‑钛酸铅‑铁酸铋三元体系的压电陶瓷，该陶瓷的化学通式为，其中0.30≤x≤0.33，0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05，0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03，采用金属氧化物为原料，通过固相反应法制备该压电陶瓷。本发明还公开了基于该压电陶瓷的偶极子发射换能器，换能器在空气中的谐振频率约为2~3kHz，可耐200℃的高温及50MPa的高静水压。
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公开(公告)号：CN111525021A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010320707.6
申请日：2020-04-22
Applicant: 济南大学
IPC: H01L35/18 , H01L35/22 , H01L35/34 , C23C28/00 , C23C18/12 , C23C14/18 , C23C14/35 , B05D1/00 , B05D3/02 , B05D7/24 , C01G29/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143 ℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54 ℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109494076A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811256156.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 济南大学
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/005 , H01G4/1218
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器，由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器，以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层，其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaTiO3)-0.03BiFeO3-xCeO2-yMnO2，其中0≤x≤1%，0≤y≤2%，且y＞x。本发明工艺简单、成本低廉，所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低，可满足柔性储能元器件的要求。
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公开(公告)号：CN112537955B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011504782.4
申请日：2020-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88 , B06B1/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性钪酸铋‑钛酸铅‑铁酸铋三元体系的压电陶瓷，该陶瓷的化学通式为，其中0.30≤x≤0.33，0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05，0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03，采用金属氧化物为原料，通过固相反应法制备该压电陶瓷。本发明还公开了基于该压电陶瓷的偶极子发射换能器，换能器在空气中的谐振频率约为2~3kHz，可耐200℃的高温及50MPa的高静水压。
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公开(公告)号：CN109494076B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811256156.0
申请日：2018-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器，由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器，以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层，其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.03BiFeO3‑xCeO2‑yMnO2，其中0≤x≤1%，0≤y≤2%，且y＞x。本发明工艺简单、成本低廉，所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低，可满足柔性储能元器件的要求。
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公开(公告)号：CN104844197A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510231730.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。
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公开(公告)号：CN104496468A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410693444.8
申请日：2014-11-27
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ，其中x为锰离子的摩尔掺量，0
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