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公开(公告)号:CN104844197B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201510231730.7
申请日:2015-05-08
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域,具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1‑yXyO3‑δ,其中X为掺杂元素;y为掺杂元素的掺杂量;δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术,在硅基片上,制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控,成本低廉,且制备出的薄膜晶相单一,择优取向度高。
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公开(公告)号:CN112537955B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202011504782.4
申请日:2020-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88 , B06B1/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性钪酸铋‑钛酸铅‑铁酸铋三元体系的压电陶瓷,该陶瓷的化学通式为,其中0.30≤x≤0.33,0.05≤y≤0.10,0.02≤a≤0.05,0.01≤b≤0.03,0.01≤c≤0.03,采用金属氧化物为原料,通过固相反应法制备该压电陶瓷。本发明还公开了基于该压电陶瓷的偶极子发射换能器,换能器在空气中的谐振频率约为2~3kHz,可耐200℃的高温及50MPa的高静水压。
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公开(公告)号:CN104844197A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510231730.7
申请日:2015-05-08
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C01G23/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域,具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ,其中X为掺杂元素;y为掺杂元素的掺杂量;δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术,在硅基片上,制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控,成本低廉,且制备出的薄膜晶相单一,择优取向度高。
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公开(公告)号:CN104496468A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410693444.8
申请日:2014-11-27
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子功能材料领域,具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ,其中x为锰离子的摩尔掺量,0
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公开(公告)号:CN103708739A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310271717.5
申请日:2013-07-02
Applicant: 济南大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种锌离子掺杂的钛酸铋钠薄膜及其低温制备方法,属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na0.5Bi0.5Ti1-xZnxO3-δ表示,其中,x为锌离子的摩尔掺量,0.005≤x≤0.05;δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺,在ITO玻璃衬底上,于500~550℃结晶温度下制得具有良好电绝缘性、铁电性、介电性的薄膜,在非易失性铁电存储器中具有较广泛的应用,同时也可用于开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料及器件。
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公开(公告)号:CN111525021B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202010320707.6
申请日:2020-04-22
Applicant: 济南大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/855 , H10N10/01 , C23C28/00 , C23C18/12 , C23C14/18 , C23C14/35 , B05D1/00 , B05D3/02 , B05D7/24 , C01G29/00
Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域,具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成,所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3,其中,1.01≤a≤1.02,1.01≤b≤1.04,0.01≤x≤0.02,0.01≤y≤0.02。在143℃附近,正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值:∆T~55 K,∆S~64 J K‑1 kg‑1;在同一制冷循环内,54℃附近,负绝热温变和等温熵变的峰值为:∆T~‑17 K,∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点,在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN112557516B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202011504747.2
申请日:2020-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: G01N29/14 , C04B35/50 , C04B35/478 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷声发射传感器,包括封装外壳、透声层、导电胶、压电元件、连接压电元件正电极面的引线、压电元件与封装层之间的背衬层、射频连接器和射频同轴电缆。本发明所用的压电元件为陶瓷,其中0.30≤x≤0.33,0.05≤y≤0.10,0.02≤a≤0.05,0.01≤b≤0.03,0.01≤c≤0.03。该陶瓷具有高的居里温度(TC=470℃~500℃)和优异的压电性能(d33>230pC/N)。本发明所制备的声发射传感器可在300℃的高温下稳定工作,具有高灵敏度、高信噪比、制作工艺简单、使用方便等特点,对将声发射技术应用于高温领域的在线监测具有重要意义。
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公开(公告)号:CN113213918B
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN202110709653.7
申请日:2021-06-25
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明属于高温压电陶瓷材料领域,具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2,其中0.01≤x≤0.04,0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低,还保持了高压电性能和高居里温度,满足高温压电传感器对压电功能元件的要求,制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产,在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN113213918A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110709653.7
申请日:2021-06-25
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明属于高温压电陶瓷材料领域,具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2,其中0.01≤x≤0.04,0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低,还保持了高压电性能和高居里温度,满足高温压电传感器对压电功能元件的要求,制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产,在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN112557516A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202011504747.2
申请日:2020-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: G01N29/14 , C04B35/50 , C04B35/478 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高温压电陶瓷声发射传感器,包括封装外壳、透声层、导电胶、压电元件、连接压电元件正电极面的引线、压电元件与封装层之间的背衬层、射频连接器和射频同轴电缆。本发明所用的压电元件为陶瓷,其中0.30≤x≤0.33,0.05≤y≤0.10,0.02≤a≤0.05,0.01≤b≤0.03,0.01≤c≤0.03。该陶瓷具有高的居里温度(TC=470℃~500℃)和优异的压电性能(d33>230pC/N)。本发明所制备的声发射传感器可在300℃的高温下稳定工作,具有高灵敏度、高信噪比、制作工艺简单、使用方便等特点,对将声发射技术应用于高温领域的在线监测具有重要意义。
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