公开(公告)号：CN104844197B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201510231730.7

申请日：2015-05-08

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  冯超 ,  李姝欣 ,  韩亚洁 ,  胡雪卿 ,  焦芳莹 ,  钱进 ,  杜雄斌

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C01G23/00

Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1‑yXyO3‑δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。

公开(公告)号：CN104844197A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510231730.7

申请日：2015-05-08

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  冯超 ,  李姝欣 ,  韩亚洁 ,  胡雪卿 ,  焦芳莹 ,  钱进 ,  杜雄斌

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C01G23/00

Abstract: 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ，其中X为掺杂元素；y为掺杂元素的掺杂量；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术，在硅基片上，制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控，成本低廉，且制备出的薄膜晶相单一，择优取向度高。